[發明專利]蝕刻方法及裝置有效
| 申請號： | 201180010706.0 | 申請日： | 2011-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN102770944A | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 宮本榮司;井上將男 | 申請（專利權）人： | 積水化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 雒運樸 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 裝置 | ||
1.一種蝕刻方法，其為在接近大氣壓的氣壓下對被處理基板進行蝕刻的方法，該被處理基板含有含硅物，且具有第一面和該第一面的背側的第二面，所述蝕刻方法的特征在于，
在含有氟化氫蒸氣及水蒸氣的處理氣氛中配置所述被處理基板，
以使所述第一面的溫度成為比所述處理氣氛中的氟化氫及水的凝結點高的溫度，且使所述第二面的溫度成為所述凝結點以下的溫度的方式進行調節。
2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，
使所述第一面的溫度成為比所述凝結點高出超過0℃且40℃以下的溫度。
3.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，
使所述第二面的溫度成為比所述凝結點低0℃～10℃的溫度。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，
從與所述處理氣氛存在的處理空間相連的搬入口將所述被處理基板搬入到所述處理空間中，從與所述處理空間相連的搬出口將所述被處理基板搬出，在所述搬入口的附近及所述搬出口的附近吸引氣體。
5.一種蝕刻裝置，其在壓力接近大氣壓且濕度超過0％的處理空間內對被處理基板進行蝕刻，該被處理基板含有含硅物，且具有第一面和該第一面的背側的第二面，所述蝕刻裝置的特征在于，具備：
噴出噴嘴，其將至少含有氟化氫及水這兩者中的氟化氫的處理氣體向所述處理空間內供給，并使該處理氣體至少與所述被處理基板的所述第二面接觸；
調節機構，其以使所述第一面的溫度成為比所述處理空間中的氟化氫及水的凝結點高的溫度，且使所述第二面的溫度成為所述凝結點以下的溫度的方式進行調節。
6.根據權利要求5所述的蝕刻裝置，其特征在于，
所述調節機構包括加熱器，該加熱器在隔著所述處理空間中的配置有所述被處理基板的位置而與所述噴出噴嘴相反的一側，與配置有所述被處理基板的位置接近配置，所述加熱器的設定溫度為比所述凝結點高出超過0℃且60℃以下的溫度。
7.根據權利要求5或6所述的蝕刻裝置，其特征在于，
所述調節機構使所述第二面的溫度成為比所述凝結點低0℃～10℃的溫度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
