[發明專利]場效應晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201180010336.0
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102763222A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 平野浩一;小松慎五;齊藤恭輝;池直樹
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社;第一工業制藥株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/288;H01L21/336;H05B33/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種場效應晶體管的制造方法，是具有柵電極、源電極、漏電極、溝道層及柵絕緣層的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

使用含有金屬鹽的組合物形成所述溝道層，所述含有金屬鹽的組合物包含金屬鹽、具有-C(COOH)＝C(COOH)-順式結構的多元羧酸、有機溶劑、以及水，且所述多元羧酸相對于所述金屬鹽的摩爾比為0.5以上并且4.0以下。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述多元羧酸是選自馬來酸、檸糠酸、鄰苯二甲酸及偏苯三酸中的1種以上。

3.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述水來源于所述金屬鹽的水合物。

4.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述含有金屬鹽的組合物中所含的所述金屬鹽是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Sn及Sb中的1種以上的鹽。

5.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述含有金屬鹽的組合物中所含的所述金屬鹽是至少包含Zn的金屬的鹽。

6.根據權利要求5所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述含有金屬鹽的組合物中所含的所述金屬鹽還包含選自In及Ga中的1種以上的金屬的鹽。

7.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述金屬鹽是選自硝酸鹽、硫酸鹽、羧酸鹽、鹵化物、醇鹽及乙酰丙酮鹽中的1種以上。

8.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

包括：

(i)在基板上形成柵電極的工序；

(ii)覆蓋所述柵電極地在所述基板上形成所述柵絕緣層的工序；

(iii)向所述柵絕緣層上供給所述含有金屬鹽的組合物而形成溝道前驅體層，對該溝道前驅體層進行加熱處理而形成所述溝道層的工序；以及

(iv)與所述溝道層相接地形成所述源電極及所述漏電極的工序。

9.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

包括：

(i)’準備金屬箔的工序；

(ii)’在所述金屬箔上形成所述柵絕緣層的工序；

(iii)’向所述柵絕緣層上供給所述含有金屬鹽的組合物而形成溝道前驅體層，對該溝道前驅體層進行加熱處理而形成所述溝道層的工序；

(iv)’與所述溝道層相接地形成所述源電極及所述漏電極的工序；

(v)’以覆蓋所述溝道層、所述源電極及所述漏電極的方式形成密封層的工序；以及

(vi)’蝕刻所述金屬箔而形成所述柵電極的工序。

10.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

對于所述柵絕緣層的形成也使用所述含有金屬鹽的組合物，

所述柵絕緣層的形成中所用的所述含有金屬鹽的組合物中所含的所述金屬鹽是選自Ba、Y、Zr、Hf、Ta及Al中的1種以上的金屬的鹽。

11.根據權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

對于所述源電極和/或所述漏電極的形成也使用所述含有金屬鹽的組合物，

所述源電極和/或所述漏電極的形成中所用的所述含有金屬鹽的組合物中所含的所述金屬鹽是導電性金屬的鹽。

12.一種場效應晶體管，是利用權利要求1所述的制造方法得到的場效應晶體管，其特征在于，

具有：

溝道層、

柵電極、

至少位于所述溝道層與所述柵電極之間的柵絕緣層、以及

與所述溝道層相接地配置的源電極及漏電極，

所述溝道層包含金屬氧化物，該金屬氧化物是由所述含有金屬鹽的組合物形成的氧化物。

13.根據權利要求12所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述溝道層的表面的算術平均粗糙度Ra為10nm以下。