[發明專利]用于測試和校準磁場感測器件的方法和結構有效
| 申請號: | 201180010293.6 | 申請日: | 2011-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN102762951A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | P·馬瑟 | 申請(專利權)人: | 艾沃思賓技術公司 |
| 主分類號: | G01B7/14 | 分類號: | G01B7/14;G01R33/06;H01L43/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 陳華成 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 測試 校準 磁場 器件 方法 結構 | ||
1.一種磁場傳感器,包括:
第一電流傳輸線和第二電流傳輸線;
穩定線;
第一磁致電阻感測元件,位于第一電流傳輸線與第二電流傳輸線之間并與該穩定線相鄰;以及
磁場生成線,定位得與該第一磁致電阻感測元件相鄰。
2.根據權利要求1所述的傳感器,其中,該磁致電阻感測元件包括磁隧道結。
3.根據權利要求1所述的傳感器,其中,該第一磁致電阻感測元件包括:磁致電阻元件的陣列。
4.根據權利要求1所述的傳感器,其中,該穩定線設置在該第一磁致電阻感測元件的相反兩側,從而從其經過的電流在該相反兩側沿相反兩個方向流動。
5.根據權利要求1所述的傳感器,還包括:
第二、第三和第四磁致電阻感測元件,與該第一磁致電阻感測元件協同配置成惠斯通橋。
6.根據權利要求5所述的傳感器,其中,該第一、第二、第三和第四磁致電阻感測元件中的每個包括:
磁致電阻感測元件的陣列。
7.根據權利要求1所述的傳感器,其中,該磁場生成線設置在該第一磁致電阻感測元件的相反兩側,從而從其經過的電流在該相反兩側沿相反兩個方向流動。
8.根據權利要求1所述的傳感器,還包括:
接觸焊盤,與該穩定線電隔離,且包括與該穩定線相同的集成電路層;以及
耦接至該接觸焊盤的電路。
9.根據權利要求1所述的傳感器,還包括:
接觸焊盤,與該穩定線、該磁場生成線以及該第一和第二電流傳輸線中的至少一個電隔離且包含與之相同的集成電路層;以及
耦接至該接觸焊盤的電路。
10.根據權利要求1所述的傳感器,還包括:
晶體管,具有包括該第二電流傳輸線的第一電流傳輸電極、耦接至其他電路的第二電流傳輸電極、以及耦接至控制電路的控制電極。
11.根據權利要求1所述的傳感器,其中,該磁場生成線包括:
線圈。
12.根據權利要求1所述的傳感器,其中,該磁場生成線包括:
第一部分,鄰近該第一磁致電阻感測元件并具有第一寬度;
第二部分,從該第一磁致電阻感測元件移位且具有第二寬度,該第一寬度具有小于該第二寬度的尺寸。
13.一種在集成電路中感測磁場的方法,該集成電路包括至少一個磁致電阻感測元件,該磁致電阻感測元件包括鐵磁感測層,該方法包括:
提供第一電流到與該磁致電阻感測元件相鄰地設置的穩定線,同時提供第二電流到與該磁致電阻感測元件相鄰地設置的磁場生成線,并且采樣由該磁致電阻感測元件所感測的第一值;
提供第三電流到該穩定線,同時提供該第二電流到該磁場生成線,并且采樣由該磁致電阻感測元件所感測的第二值;
提供該第一電流到該穩定線,同時提供第四電流到該磁場生成線,并且采樣由該磁致電阻感測元件所感測的第三值;
提供該第三電流到該穩定線,同時提供該第四電流到該磁場生成線,并且采樣由該磁致電阻感測元件所感測的第四值;
從該第一、第二、第三和第四值確定該磁致電阻傳感器的靈敏度以及磁偏差和電偏差;
從所確定的靈敏度以及磁偏差和電偏差確定多個校準因子;以及
存儲該校準因子以用于校正后面的測量。
14.根據權利要求13所述的方法,還包括:
在第一和第二溫度下采樣該第一、第二、第三和第四值;
利用溫度相關的電偏差確定偏差的溫度系數;以及
將該偏差的溫度系數存儲到存儲器中以增大擴展溫度范圍上的校準精度。
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