[發明專利]基板的清洗方法和半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201180010143.5
• 申請日: 2011-02-23
• 公開（公告）號: CN102763196A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 星野聰彥;松井英章;成島正樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社;巖谷產業株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基板的清洗方法，用于在保持為真空狀態的處理容器內，對在基板上的膜上形成有規定圖案的基板進行清洗，其特征在于，包括：

前工序，利用所希望的清潔氣體對通過蝕刻處理形成有規定圖案的基板上的膜進行清洗；和

連續工序，在前工序后連續執行氧化工序和還原工序，其中，所述氧化工序是利用氧化性氣體使所述圖案表面的殘渣氧化的工序，所述還原工序中是利用還原性氣體使所述被氧化的殘渣還原的工序，

所述前工序和所述連續工序中所使用的氣體，通過從內部壓力P_S保持為比所述處理容器的內部壓力P₀高的氣體噴嘴放出至所述處理容器內而團簇化。

2.如權利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述清潔氣體是NH₄OH、H₂O₂、HCL、H₂SO₄、HF、NH₄F中的至少任一種或者它們的組合。

3.如權利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述氣體噴嘴與所述基板之間的距離d設定為比由式1定義的從所述氣體噴嘴的出口到發生沖擊波的位置的距離Xm長，

所述各工序中所使用的氣體，在所述氣體噴嘴與所述基板之間發生團簇化，利用所述發生的沖擊波與基板碰撞，

XmD0=0.67×(P0PS)1/2]]>…(式1)

其中，D₀是氣體噴嘴的出口的內徑，P_s是氣體噴嘴的內部壓力，P₀是處理容器的內部壓力。

4.如權利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述氣體噴嘴的內部壓力P_S在0.4MPa以上，

所述處理容器的內部壓力P₀在1.5Pa以下。

5.如權利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述氣體噴嘴的內部壓力P_S在0.9MPa以下。

6.如權利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述基板的清洗方法用于在基板上形成配線時的圖案的清洗、或者曝光后的抗蝕劑的清洗。

7.一種半導體制造裝置，用于在保持為真空狀態的處理容器內對形成有規定圖案的基板上的膜進行清洗，其特征在于：

所述半導體制造裝置具備內部壓力P_S保持為比所述處理容器的內部壓力P₀高的氣體噴嘴，

該半導體制造裝置執行多個工序，該多個工序包括前工序、以及在前工序后連續執行氧化工序和還原工序的工序，

所述前工序，是通過將所希望的清潔氣體從所述氣體噴嘴向所述處理容器內放出，使該清潔氣體團簇化，利用被團簇化的清潔氣體對基板上的膜進行清洗的工序，

所述氧化工序是通過將所希望的氧化性氣體從所述氣體噴嘴向所述處理容器內放出，使該氧化性氣體團簇化，利用被團簇化的氧化性氣體使所述圖案表面的殘渣氧化的工序，所述還原工序是利用還原性氣體使所述被氧化的殘渣還原的工序。

8.一種半導體制造裝置，用于在保持為真空狀態的處理容器內對形成有規定圖案的基板上的膜進行清洗，其特征在于：

所述半導體制造裝置具備內部壓力P_S保持為比所述處理容器的內部壓力P₀高的氣體噴嘴，

該半導體制造裝置執行包括前工序、氧化工序和還原工序的多個工序：

所述前工序是通過將包括NH₄OH、H₂O₂、HCL、H₂SO₄、HF、NH₄F中的至少任一種或它們的組合的清潔氣體從所述氣體噴嘴向所述處理容器內放出，使該清潔氣體團簇化，利用被團簇化的清潔氣體對基板上的膜進行清洗的工序，

所述氧化工序是在前工序后通過將所希望的氧化性氣體從所述氣體噴嘴向所述處理容器內放出，使該氧化性氣體團簇化，利用被團簇化的氧化性氣體使所述圖案表面的殘渣氧化的工序，

所述還原工序是利用還原性氣體使所述被氧化的殘渣還原的工序。