[發明專利]半導體氣體的制造方法有效
| 申請號： | 201180009940.1 | 申請日： | 2011-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN102762525A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發明（設計）人： | 高田直門;井村英明;岡本正宗 | 申請（專利權）人： | 中央硝子株式會社 |
| 主分類號： | C07C17/361 | 分類號： | C07C17/361;C07C19/08;C07C51/58;C07C53/48;C09K13/08;C11D7/30;H01L21/3065;C07B61/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 氣體 制造 方法 | ||
1.一種單氟甲烷的制造方法，其至少具有：使1-甲氧基-1,1,2,2-四氟乙烷與催化劑接觸進行熱分解的熱分解工序、以及從熱分解產物中回收單氟甲烷的工序。
2.根據權利要求1所述的單氟甲烷的制造方法，其中，回收單氟甲烷的工序是包含將部分熱分解產物液化而分離單氟甲烷的工序的工序。
3.根據權利要求2所述的單氟甲烷的制造方法，其中，部分熱分解產物的液化通過冷卻而進行。
4.根據權利要求3所述的單氟甲烷的制造方法，其中，冷卻溫度為-80~-5℃。
5.根據權利要求1所述的單氟甲烷的制造方法，其中，回收單氟甲烷的工序是包含使相對于二氟乙酰氟為非活性的溶劑吸收二氟乙酰氟的工序的工序。
6.根據權利要求5所述的單氟甲烷的制造方法，其中，相對于二氟乙酰氟為非活性的溶劑是烴化合物。
7.根據權利要求1所述的單氟甲烷的制造方法，其中，回收單氟甲烷的工序是包含與相對于二氟乙酰氟為活性的化合物接觸的工序的工序。
8.根據權利要求7所述的單氟甲烷的制造方法，其中，相對于二氟乙酰氟為活性的化合物是水、醇類、伯胺、仲胺或者αβ不飽和羧酸酯。
9.根據權利要求7或8所述的單氟甲烷的制造方法，其中，在與相對于二氟乙酰氟為活性的化合物接觸的工序中，存在溶劑。
10.根據權利要求7~9中任一項所述的單氟甲烷的制造方法，其中，在與相對于二氟乙酰氟為活性的化合物接觸的工序中，存在堿性物質。
11.根據權利要求1~10中任一項所述的單氟甲烷的制造方法，其中，熱分解工序以金屬氧化物、部分氟化金屬氧化物、金屬氟化物、未處理或經氟化處理的磷酸或者未處理或經氟化處理的磷酸鹽為催化劑，熱分解溫度為100℃~400℃。
12.根據權利要求1~10中任一項所述的單氟甲烷的制造方法，其中，熱分解工序以氧化鋁、部分氟化氧化鋁或者氟化鋁為催化劑，熱分解溫度為130℃~260℃。
13.一種半導體裝置制造工序中的蝕刻劑或者清洗氣體，其特征在于，其包含用權利要求1~12中任一項所述的方法制造的單氟甲烷。
14.一種半導體裝置制造工序中的蝕刻方法或者清洗方法，其特征在于，其使用用權利要求1~12中任一項所述的方法制造的單氟甲烷。
15.根據權利要求1~6中任一項所述的單氟甲烷的制造方法，其具有獲得單氟甲烷并且分離獲得二氟乙酰氟的工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中央硝子株式會社，未經中央硝子株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201180009940.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：治療肽
- 下一篇：液壓制動系統及用于運行液壓制動系統的方法和控制設備
