[發(fā)明專利]用于使用太赫頻率范圍的輻射來分析樣品的設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180009472.8
• 申請(qǐng)日: 2011-02-07
• 公開（公告）號(hào): CN102762973A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: L·特里波迪;J·戈梅里瓦斯;U·R·R·普法伊費(fèi)爾;P·G·哈林玻利瓦爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N21/35
• 分類號(hào): G01N21/35;G01N21/55;G02B6/122
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文;蹇煒

1.用于使用太赫頻率范圍的輻射來分析樣品的設(shè)備，包括：

-發(fā)射器（3），包括用于生成電磁THz信號(hào)的THz信號(hào)生成器（5，6，7；51），所述THz信號(hào)生成器包括非線性傳輸線（7；52）；

-表面等離子體偏振子生成單元（8），適于將所述THz信號(hào)轉(zhuǎn)換為表面等離子體偏振子；

-THz表面等離子體偏振子傳感器（9），適于使生成的表面等離子體偏振子與樣品（10）相互作用；以及

-接收器（4），包括適于將表面等離子體偏振子轉(zhuǎn)換為電磁THz信號(hào)的THz表面等離子體偏振子探測(cè)器（11）；

所述發(fā)射器（3）、所述表面等離子體偏振子生成單元（8）、以及所述接收器（4）集成在一個(gè)公共的基底上或兩個(gè)分開的基底上；其中，用于生成THz表面等離子體偏振子的所有部件集成在所述單個(gè)基底上或分別集成在多個(gè)基底上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述表面等離子體偏振子生成單元（8）包括至少一個(gè)輻射元件和至少一個(gè)定向性產(chǎn)生結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述THz表面等離子體偏振子傳感器（9）包括傳導(dǎo)表面，所述傳導(dǎo)表面適于使得能夠激發(fā)傳播表面等離子體偏振子或局域化表面等離子體偏振子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述表面等離子體偏振子探測(cè)器（11）包括至少一個(gè)天線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述接收器（4）包括非線性傳輸線（16；55）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述接收器（4）包括兩-二極管采樣橋（15）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述發(fā)射器（3）和所述接收器（4）二者各包括至少一個(gè)振蕩器（5，18；51，54）。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述THz信號(hào)生成器（5，6，7；51）適于使得所述電磁THz信號(hào)為沖擊或脈沖。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述THz信號(hào)生成器（51）是孤波振蕩器，所述孤波振蕩器包括放大器（53）和所述放大器的反饋回路中的非線性傳輸線（52）。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備還包括模擬低頻IF輸出端（21）。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備還包括模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器和數(shù)字信號(hào)處理單元。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備是成像設(shè)備或分光設(shè)備。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備是醫(yī)學(xué)圖像獲取設(shè)備或醫(yī)學(xué)分光設(shè)備。