[發(fā)明專利]流體接口系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180008374.2
• 申請(qǐng)日: 2011-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102812350A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·諾比雷;G·羅斯;D·瑪瑞安;W·米萊斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 生命科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N27/26
• 分類號(hào): G01N27/26;G01N27/414;G01N33/487;C12Q1/68
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 劉佳

1.一種流體耐受電連接器，包括：

順應(yīng)性的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電膜構(gòu)造成流體裝置與其它電路之間的流體屏障，其中所述流體裝置包括一個(gè)或多個(gè)電觸頭，所述一個(gè)或多個(gè)電觸頭通過(guò)所述膜導(dǎo)電聯(lián)接至與所述電路相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)電觸頭；

其中所述流體裝置的所述一個(gè)或多個(gè)電觸頭通過(guò)形成在所述膜中的導(dǎo)電路徑選擇性地導(dǎo)電聯(lián)接至與所述電路相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)相應(yīng)觸頭，同時(shí)通過(guò)所述膜能夠基本防止所述流體裝置中所容納的流體與所述電路接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體耐受電連接器，其中所述膜被插入在所述流體裝置與所述電路之間，使得能夠基本防止所述流體裝置和所述電路彼此直接接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體耐受電連接器，所述流體耐受電連接器進(jìn)一步包括夾持構(gòu)件，所述夾持構(gòu)件構(gòu)造成推動(dòng)所述流體裝置靠近所述電路，布置在所述流體裝置與所述電路之間的所述膜建立所述流體裝置與所述電路之間的電氣接觸，同時(shí)防止流體與所述電路接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體耐受電連接器，其中所述膜的順應(yīng)性特性能夠適應(yīng)存在于所述流體裝置上的表面擾動(dòng)，同時(shí)建立所述電路和所述流體裝置的所述觸頭之間的導(dǎo)電性。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體耐受電連接器，其中所述膜的順應(yīng)性特性能夠適應(yīng)所述流體裝置的至少一部分變形，同時(shí)建立所述電路和所述流體裝置的所述觸頭之間的導(dǎo)電性。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體耐受電連接器，其中所述流體裝置的所述觸頭和所述電路的所述觸頭包括能夠抵抗電偶腐蝕的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體耐受電連接器，其中所述流體裝置進(jìn)一步包括流動(dòng)池，所述流動(dòng)池具有一個(gè)或多個(gè)流體傳輸端口，所述一個(gè)或多個(gè)流體傳輸端口將流體輸送至所述流動(dòng)池，其中所述流動(dòng)池進(jìn)一步包括用于檢測(cè)容納在所述流體內(nèi)的分析物的電部件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體耐受電連接器，其中所述電部件包括一個(gè)或多個(gè)chemFET傳感器。

9.一種用于建立流體裝置與其它的電氣處理電路之間的電氣連接的方法，所述方法包括以下步驟：

將順應(yīng)性的導(dǎo)電膜定位成靠近所述流體裝置和所述其它的電氣處理電路，從而形成基本防流體的屏障；

通過(guò)靠近彼此地推動(dòng)所述流控裝置和所述電氣處理電路并且將所述膜布置在所述流控裝置與所述電氣處理電路之間而通過(guò)所述膜經(jīng)由在所述膜中存在的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通路提供與所述流體裝置相關(guān)聯(lián)的電觸頭和與所述其它的電氣處理電路相關(guān)聯(lián)的電觸頭之間的導(dǎo)電性，其中通過(guò)在所述膜中存在的所述導(dǎo)電通路在所述流體裝置的所述電觸頭和與所述其它的處理電路相關(guān)聯(lián)的電觸頭之間建立連接；以及

通過(guò)所述膜將電信號(hào)從所述流體裝置傳輸至所述其它的電氣處理電路，同時(shí)所述膜防止流體與所述其它的電氣處理電路接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述膜位于所述流體裝置與所述電路之間，使得基本防止所述流體裝置與所述電路彼此直接接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中通過(guò)夾持力推動(dòng)所述流體裝置靠近所述電路，所述膜布置在所述流體裝置與所述電路之間，從而基本防止流體與所述電路接觸并且建立所述流體裝置與所述電路之間的電氣接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述膜的順應(yīng)性特性適應(yīng)存在于所述流體裝置上的表面擾動(dòng)，同時(shí)建立所述電路和所述流體裝置的所述觸頭之間的導(dǎo)電性。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述膜的所述順應(yīng)性特性適應(yīng)所述流體裝置的至少一部分變形，同時(shí)建立所述電路和所述流體裝置的所述觸頭之間的導(dǎo)電性。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述流體裝置的所述觸頭和所述電路的所述觸頭包括能夠抵抗電偶腐蝕的材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述流體裝置進(jìn)一步包括流動(dòng)池，所述流動(dòng)池具有一個(gè)或多個(gè)流體傳輸端口，所述一個(gè)或多個(gè)流體傳輸端口將流體輸送至所述流動(dòng)池，其中所述流動(dòng)池進(jìn)一步包括用于檢測(cè)所述流體中所包含的分析物的電部件。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述流動(dòng)池的所述電部件包括一個(gè)或多個(gè)chemFET傳感器，所述一個(gè)或多個(gè)chemFET傳感器構(gòu)造成對(duì)所述流體中的分析物進(jìn)行檢測(cè)。