[發明專利]用于制氧的膜

無效

• 申請號: 201180008232.6
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102740958A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: M·克萊;R·毛奇斯措克;R·希爾比希;W·C·科爾
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: B01D71/02
• 分類號: B01D71/02;B01D67/00;B01D69/10;B01D53/22;C01B13/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.膜系統，其包括

膜(14)，和

用于支持膜(14)的多孔基材(12)，其中基材(12)包括柱(15)和用于使氣體與膜(14)受控地接觸的限定的通道(16)。

2.根據權利要求1的膜系統，其中通道(16)的寬度為≥30μm至≤5mm。

3.根據權利要求1的膜系統，其中基材(12)的厚度為≥50μm至≤1mm。

4.根據權利要求1的膜系統，其中柱(15)的寬度為≥50μm至≤1mm。

5.根據權利要求1的膜系統，其中膜(14)的厚度為≥0.1μm至≤40μm。

6.根據權利要求1的膜系統，其中基材(12)是硅基材、玻璃基材、陶瓷基材如氧化鋁、玻璃陶瓷基材或金屬基材。

7.根據權利要求1的膜系統，其中膜(14)基于鈣鈦礦，鈣鈦礦選自Sr_1-yBa_yCo_1-xFexO_3-z，其可未摻雜或摻雜有供體或受體；和La_1-ySr_yFe_1-xCr_xO_3-z，其可未摻雜或摻雜有鈮、鎂、鈦或鎵；Sr_1-y-xBa_yLa_xCo_1-b-cFe_bCr_cO_3-z，其可未摻雜或摻雜有如供體或受體如鈮、鎂、鈦或鎵；Ba_1-xSr_xTiO_3-z，其可未摻雜或摻雜有供體或受體如錳、鐵、鉻或任何其他摻雜化合物；以及PbZr_1-xTi_xO_3-z，其可未摻雜或摻雜有供體或受體如鐵、鈮、鑭、鉻和任何其他摻雜化合物。

8.根據權利要求1的膜系統，其中膜系統(10)還包括在基材(12)的一側或兩側上的覆蓋層(22,22’)。

9.根據權利要求8的膜系統，其中覆蓋層(22,22’)由氧化硅、氮化硅或它們的組合形成。

10.根據權利要求8的膜系統，其中膜系統(10)還包含在膜(14)和覆蓋層(22)之間的阻隔層(24)。

11.根據權利要求10的膜系統，其中阻隔層(24)包含選自以下的材料：氧化硅、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、鈦酸鋯、氧化鋁和氧化鉭或它們的任意組合。

12.根據權利要求1的膜系統，其中在膜(14)上設置保護層(26)。

13.用于制備根據權利要求1-12中任一項的膜系統(10)的方法，其中通過硅微加工或噴砂將基材(12)圖案化。

14.根據權利要求13的方法，其中在所述基材的至少一側上涂覆覆蓋層(22,22’)。

15.根據權利要求14的方法，其中在覆蓋層(22)和膜(14)之間涂覆阻隔層(24)。