[發(fā)明專利]半導(dǎo)體覆蓋用玻璃和使用該玻璃形成的半導(dǎo)體覆蓋用材料

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180007607.7
• 申請日: 2011-01-19
• 公開（公告）號: CN102741185A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西川欣克
• 申請（專利權(quán)）人: 日本電氣硝子株式會(huì)社
• 主分類號: C03C8/04
• 分類號: C03C8/04;C03C8/14;C03C8/20;H01L21/316
• 代理公司: 北京泛誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;朱弋

1.一種半導(dǎo)體覆蓋用玻璃，其特征在于，以質(zhì)量%計(jì)，含有ZnO50～65%、B₂O₃?19～28%、SiO₂?7～15%、Al₂O₃?3～12%、Bi₂O₃?0.1～5%的組成，且實(shí)質(zhì)上不含鉛成分。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體覆蓋用玻璃，其特征在于，還含有MnO₂?0～5%、Nb₂O₅?0～5%、CeO₂?0～3%的組成。

3.一種半導(dǎo)體覆蓋用玻璃粉末，其特征在于，由權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體覆蓋用玻璃形成。

4.一種半導(dǎo)體覆蓋用材料，其特征在于，含有權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體覆蓋用玻璃粉末。

5.一種半導(dǎo)體覆蓋用材料，其特征在于，相對于100質(zhì)量份權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體覆蓋用玻璃粉末，含有0.01～5質(zhì)量份的選自TiO₂、ZrO₂、ZnO、ZnO·B₂O₃及2ZnO·SiO₂中的至少一種無機(jī)粉末。

6.如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體覆蓋用材料，其特征在于，表面電荷密度為7×10¹¹/cm²以上。

7.一種半導(dǎo)體覆蓋用玻璃，其特征在于，以質(zhì)量%計(jì)，含有ZnO40～60%、B₂O₃?5～25%、SiO₂?15～35%、Al₂O₃?3～12%的組成，且實(shí)質(zhì)上不含鉛成分。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體覆蓋用玻璃，其特征在于，還含有：Bi₂O₃?0～5%、MnO₂?0～5%、Nb₂O₅?0～5%、CeO₂?0～3%的組成。

9.一種半導(dǎo)體覆蓋用材料，其特征在于，含有由權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體覆蓋用玻璃形成的玻璃粉末。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體覆蓋用材料，其特征在于，相對于100質(zhì)量份所述玻璃粉末，含有0.01～5質(zhì)量份的選自TiO₂、ZrO₂、ZnO、ZnO·B₂O₃和2ZnO·SiO₂中的至少一種無機(jī)粉末。