[發(fā)明專利]光致抗蝕劑移除處理裝置及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180007223.5
• 申請日: 2011-03-02
• 公開（公告）號: CN102725440A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設計）人: 艾里克·J·伯格曼;杰瑞·達斯廷·倫哈德;布賴恩·普奇;杰森·賴伊
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23G1/02
• 分類號: C23G1/02
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種用于從晶片移除光致抗蝕劑的方法，其特征在于：

將該晶片放置在密閉腔室中；

經由位于該腔室的外部的多個紅外線燈照射并加熱該晶片的表面，其中通過該腔室的窗口而將紅外線能量直接輻射到該晶片的表面；

使該晶片與硫酸及過氧化氫接觸，其中硫酸及過氧化氫與紅外線輻射發(fā)生反應，以從該晶片的表面移除光致抗蝕劑；以及

冷卻所述紅外線燈周圍的多個表面。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：在該腔室中同時提供硫酸及過氧化氫的霧化物的混合物。

3.如權利要求2所述的方法，其中，從多個分離的霧化噴嘴將硫酸及過氧化氫噴射到該腔室中，且在存在紅外線輻射的條件下在該腔室中混合過氧化氫的霧化物與硫酸的霧化物。

4.如權利要求1所述的方法，其中該晶片為300mm直徑的晶片，且所供應的硫酸及過氧化氫的組合總量等于或小于100毫升。

5.如權利要求1所述的方法，其中該晶片為300mm直徑的晶片，且所供應的硫酸及過氧化氫的總量等于或小于50毫升。

6.如權利要求1所述的方法，其中該晶片為300mm直徑的晶片，且硫酸及過氧化氫的組合在一起的流速等于或小于每分鐘30毫升。

7.一種用于從300mm直徑的晶片移除光致抗蝕劑的方法，包括：

將該晶片放置在密閉腔室中；

經由紅外線輻射來照射該晶片的表面；以及

向該晶片上施加組合體積不超過100毫升的硫酸及過氧化氫，其中硫酸及過氧化氫與紅外線輻射發(fā)生反應，以從該晶片的表面移除光致抗蝕劑。

8.如權利要求7所述的方法，還包括：施加組合體積不超過50毫升的硫酸及過氧化氫。

9.如權利要求7所述的方法，還包括：通過該腔室的窗口而將紅外線輻射直接射到該晶片的表面。

10.如權利要求7所述的方法，其中該光致抗蝕劑為非布植式，且使用組合體積不超過20毫升的硫酸及過氧化氫。

11.一種用于從基板移除有機涂層的方法，包括：

將該基板放置到處理腔室中，并將作為分離流體的硫酸氣溶膠和過氧化氫氣溶膠引入該腔室中；

利用紅外線輻射來照射該基板，并且在上升時間區(qū)間內將該基板的表面溫度從環(huán)境溫度升高到上升溫度；

在駐留時間區(qū)間中保持該表面溫度處于該上升溫度；

在該駐留時間區(qū)間終止時，停止紅外線輻射；以及

用去離子水噴射該基板。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，該上升溫度為至少200°C，且該上升時間區(qū)間少于30秒。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于，該基板暴露于該氣溶膠混合物的時間總量少于120秒。

14.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所使用的硫酸及過氧化氫的總量少于60毫升。

15.如權利要求11所述的方法，其特征還在于，旋轉該基板。

16.一種用于從基板移除有機涂層的方法，其特征在于：

將該基板暴露于硫酸及過氧化氫的氣溶膠混合物；

利用紅外線輻射來照射該基板，并且在上升時間區(qū)間內將該基板的表面溫度從環(huán)境溫度升高到上升溫度；

當該基板的表面溫度達到該上升溫度時，停止紅外線輻射；以及

用去離子水噴射該基板。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，硫酸及過氧化氫的組合總體積少于15毫升。

18.如權利要求16所述的方法，其特征在于，該上升溫度為至少200°C。

19.一種用于從基板移除有機涂層的方法，其特征在于：

向該基板上施加硫酸；

利用紅外線輻射來照射該基板，并且在上升時間區(qū)間內將該基板的表面溫度從環(huán)境溫度升高到上升溫度；

在駐留時間區(qū)間中保持該表面溫度處于該上升溫度；

在該駐留時間區(qū)間終止時，停止紅外線輻射；以及

用去離子水噴射該基板。