[發明專利]成膜裝置有效
| 申請號: | 201180007205.7 | 申請日: | 2011-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN102725438A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 原正道;山本薰;五味淳;多賀敏 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/285 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置,其為使用包括有機金屬化合物的原料氣體在被處理體的表面形成薄膜的成膜裝置,所述成膜裝置的特征在于,具備:
處理容器,內部收容被處理體,且內部能夠真空排氣;
載置臺,收容在所述處理容器內,載置被處理體,并且設置有對被處理體進行加熱的加熱器;
氣體導入機構,在所述載置臺的上方與所述載置臺相對設置,向著所述載置臺上的所述被處理體的外周端更外側的區域導入所述原料氣體;
內部劃分壁,包圍所述載置臺的上方的處理空間,劃分處理空間的內外,并且以其下端部接近所述載置臺的方式設置,在所述下端部與所述載置臺的周邊部之間形成氣體出口;和
孔口形成部件,在所述內部劃分壁的下端部向著所述載置臺的半徑方向的內方延伸設置,在與所述載置臺的周邊部之間形成與所述氣體出口連通的孔口部。
2.如權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,所述孔口形成部件的內周端與所述載置臺上載置的所述被處理體的外周端的水平距離為0~10mm。
3.如權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,所述內部劃分壁和所述孔口形成部件,維持在低于所述原料氣體的分解溫度、并且在固化溫度或液化溫度以上的溫度范圍。
4.如權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,所述氣體導入機構具有:
在所述處理容器內與所述載置臺的上方相對配置的擋板;和
在所述擋板的周邊部,在與所述載置臺上載置的所述被處理體的外周端更外側的區域相對應的位置上形成的氣體放出口。
5.如權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,所述載置臺的周邊部維持在低于所述原料氣體的分解溫度、并且在固化溫度或液化溫度以上的溫度范圍。
6.如權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,所述有機金屬化合物包括選自Ru3(CO)12、W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6、Os3(CO)12、Ta(CO)5、TEMAT(四乙基甲基氨基鈦)、TAIMATA、Cu(EDMDD)2、TaCl5、TMA(三甲基鋁)、TBTDET(叔丁基酰亞胺-三-二乙基氨基鉭)、PET(五乙氧基鉭)、TMS(四甲基硅烷)、TEH(四乙氧基鉿)、Cp2Mn[=Mn(C5H5)2]、(MeCp)2Mn[=Mn(CH3C5H4)2]、(EtCp)2Mn[=Mn(C2H5C5H4)2]、(i-PrCp)2Mn[=Mn(C3H7C5H4)2]、MeCpMn(CO)3[=(CH3C5H4)Mn(CO)3]、(t-BuCp)2Mn[=Mn(C4H9C5H4)2]、CH3Mn(CO)5、Mn(DPM)3[=Mn(C11H19O2)3]、Mn(DMPD)(EtCp)[=Mn(C7H11C2H5C5H4)]、Mn(acac)2[=Mn(C5H7O2)2]、Mn(DPM)2[=Mn(C11H19O2)2]、Mn(acac)3[=Mn(C5H7O2)3]的材料。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





