[發明專利]用于光伏電池的薄板無效
| 申請號: | 201180007118.1 | 申請日: | 2011-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN102725866A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 高敏鎮 | 申請(專利權)人: | LG化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 黃麗娟;陳英俊 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 電池 薄板 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于光伏電池的薄板。
背景技術
光伏電池也稱為太陽能電池,是一種能夠將光轉換成電的半導體裝置。如果光伏電池暴露于光,則產生電壓,從而引起電子流。在這種情形中,電子流的大小與形成于電池表面上的光伏電池結上光的碰撞強度成比例。
典型的光伏電池包括硅晶片光伏電池和薄膜光伏電池。硅晶片光伏電池使用光電轉換元件,該光電轉換元件使用單晶硅錠或多晶硅錠制得,而在薄膜光伏電池中使用的光電轉換元件利用例如濺射法或沉積法的方法沉積在基板或鐵電材料上。
由于硅晶片光伏電池和薄膜光伏電池都是易碎的,所以此類光伏電池需要對負載具有抵抗能力的支撐元件。該支撐元件可以是設置于光伏電池上的透光性頂層,或者是設置于光伏電池的后表面的底層。
設置于光伏電池的后表面的底層通常是剛性背面殼體的形式。已知可以應用于這種底層的多種材料,這些材料的實例包括:鐵電材料,比如玻璃;金屬箔,比如鋁箔;有機氟樹脂;或其上層壓有氟樹脂或金屬箔的聚酯聚合物膜。
其中有機氟樹脂薄板層壓在聚合物基板(例如聚(對苯二甲酸乙二醇酯))上的結構,或其中通過涂布有機氟樹脂而在聚合物基板上形成涂層的結構是最常使用的。這種材料可以單獨應用于光伏組件,或者也可以在用硅或氧物質(例如SiOx)涂布這種材料之后應用。
然而,目前使用的氟樹脂薄板具有低的機械強度,以及對光伏組件的密封劑或聚合物基底(polymer?base)具有低的粘合強度,因此當長時間使用時具有耐久性的問題。而且,氟樹脂薄板具有差的加工性并且非常昂貴。另外,由于氟樹脂本身顯示出差的涂布性能,所以用該氟樹脂涂布的聚合物基底具有對該聚合物基底差的粘合強度。
此外,在本領域中還已知采用聚烯烴制備層壓板的技術。然而,這種聚烯烴具有不足的性能,例如耐熱性、耐光性和耐候性,因此,不適合用作要求具有長期可靠性的底層。
發明內容
技術問題
本發明的一個目的是提供一種用于光伏電池的薄板。
技術方案
本發明涉及一種用于光伏電池的薄板,該薄板包含樹脂層。該樹脂層包含有機硅樹脂和高折射填料,該高折射填料對于400nm波長的光,折射率為1.55或大于1.55。在一個實施方案中,所述用于光伏電池的薄板可以用作光伏組件的背板。
將更詳細地描述所述用于光伏電池的薄板。
所述樹脂層中包含的有機硅樹脂對光伏組件中包括的多個元件和材料(例如密封劑)顯示出優異的粘合強度,并且還具有優異的耐濕性、耐候性和耐光性。特別是,該有機硅樹脂可以顯著提高光伏組件的聚光效率。
所述有機硅樹脂可以優選是包含芳基的有機硅樹脂,特別是包含與硅原子連接的芳基的有機硅樹脂。這種有機硅樹脂可以形成具有優異的耐濕性、耐候性和粘合強度的樹脂層,并且這種硅樹脂還顯示優異的聚光效率。所述與硅原子連接的芳基的具體例子沒有特別限制,但優選苯基。
在上述中,在所述硅樹脂中,與硅原子連接的芳基(Ar)相對于該硅樹脂中的全部硅原子(Si)的摩爾比(Ar/Si)可以大于0.3。該摩爾比(Ar/Si)可以優選大于0.5,且更優選為0.7或大于0.7。如果將該摩爾比(Ar/Si)調整至大于0.3,則可以保持所述樹脂層的優異的耐濕性、耐候性和硬度,以及可以提高光伏組件的發電效率。該摩爾比(Ar/Si)的上限沒有限制,但,例如,可以是1.5或小于1.5,或者可以是1.2或小于1.2。
在一個實施方案中,所述有機硅樹脂可以由式1的平均組成式表示。
[式1]
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d
其中,R是與硅原子直接連接的取代基,并且在R中的至少一個表示芳基的情況下,R獨立地表示氫、羥基、環氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、異氰酸酯基、烷氧基或一價烴基;在a+b+c+d為1,并且b和c不同時為0的情況下,a是0至0.6,b是0至0.95,c是0至0.8,d是0至0.4。
在本說明書中,由特定平均組成式表示的有機硅樹脂是指以下情形:該樹脂包含由所述特定平均組成式表示的單一樹脂組分;和樹脂包含至少兩種樹脂組分的混合物,該至少兩種樹脂組分的平均組成由所述特定平均組成式表示。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





