[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體設(shè)備的無(wú)圖案塌陷濕處理的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180006827.8
• 申請(qǐng)日: 2011-01-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102714155B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卡特里娜·米哈利欽科;丹尼斯·肖明;傅乾;格倫·W·蓋爾;劉身健;馬克·H·威爾科克森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/302
• 分類號(hào): H01L21/302;H01L21/027
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種處理在制造半導(dǎo)體設(shè)備中所使用的晶片的方法，所述方法包括：

在所述晶片上的層中形成多個(gè)高深寬比特征；

執(zhí)行所述晶片的濕處理；

隨后干燥所述晶片，其引起圖案塌陷；以及

在所述多個(gè)高深寬比特征中修復(fù)所述圖案塌陷。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述多個(gè)高深寬比特征包括：

在硅基層上形成光阻劑圖案化掩膜；

將所述高深寬比特征用等離子體蝕刻到所述硅基層內(nèi)。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述形成所述多個(gè)高深寬比特征還包括剝?nèi)ニ龉庾鑴﹫D案化掩膜。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述多個(gè)高深寬比特征中的至少部分的深寬比為10比1或者更高。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述多個(gè)高深寬比特征中的所述部分的特性尺寸小于40nm。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述圖案塌陷的所述修復(fù)包括干修整處理。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述圖案塌陷的所述修復(fù)還包括硅基層的蝕刻。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述蝕刻為STI蝕刻。

9.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述圖案塌陷的所述修復(fù)通過(guò)使用濕蝕刻修整處理來(lái)執(zhí)行。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述濕蝕刻修整處理包括HF蝕刻。

11.如權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述修復(fù)打破在干燥期間在相鄰特征間形成的連接。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述多個(gè)高深寬比特征包括頂部SiN層并且所述連接形成于所述頂部SiN層內(nèi)。

13.如權(quán)利要求1，2或11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述晶片的所述濕處理包括濕清潔處理。

14.如權(quán)利要求1，2，11或13中任一項(xiàng)所述的方法，還包括應(yīng)用所述濕處理結(jié)束和所述圖案塌陷的所述修復(fù)之間的等待時(shí)間控制來(lái)保證所述修復(fù)在所述濕處理結(jié)束后的特定時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行。

15.如權(quán)利要求1，2，11，13或14中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述多個(gè)高深寬比特征包括SiN頂部層，TEOS中間層和SiN底部層。

16.如權(quán)利要求1，2，11，13，14或15中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述層為光阻劑層，并且所述濕處理被用來(lái)形成包括所述多個(gè)高深寬比特征的光阻劑層圖案。

17.一種處理在半導(dǎo)體設(shè)備制造中所使用的晶片的方法，所述方法包括：

在硅基層上形成光阻劑圖案化掩膜；

將多個(gè)高深寬比特征用等離子體蝕刻到所述硅基層內(nèi)，其中所述多個(gè)高深寬比特征中的至少部分的深寬比為10比1或者更高并且其中所述多個(gè)高深寬比特征中的所述部分的特性尺寸小于30nm；

執(zhí)行所述晶片的濕處理；

隨后干燥所述晶片，其引起圖案塌陷；以及

使用修整處理修復(fù)所述多個(gè)高深寬比特征中的所述圖案塌陷。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，所述修復(fù)打破在干燥期間在相鄰特征間形成的連接。

19.如權(quán)利要求17或18中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述晶片的所述濕處理包括濕清潔處理。

20.如權(quán)利要求17，18或19中任一項(xiàng)所述的方法，還包括應(yīng)用在所述濕處理結(jié)束和所述圖案塌陷的所述修復(fù)之間的等待時(shí)間控制來(lái)保證所述修復(fù)在所述濕處理結(jié)束后的特定時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行。