[發明專利]光伏組件有效
| 申請號: | 201180006116.0 | 申請日: | 2011-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN102714247A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 高敏鎮 | 申請(專利權)人: | LG化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 黃麗娟;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 | ||
1.一種光伏組件,包括:
支撐基板;
前基板;和
密封劑,該密封劑將所述支撐基板和所述前基板之間的光電轉換部件密封,以及該密封劑包含硅樹脂和光轉換材料,該光轉換材料能夠吸收波長在紫外光范圍內的光,然后能夠發射波長在可見光或近紅外光范圍內的光。
2.根據權利要求1所述的光伏組件,其中,所述硅樹脂包含與硅原子連接的芳基。
3.根據權利要求2所述的光伏組件,其中,所述與硅原子連接的芳基相對于所述硅樹脂中包含的全部硅原子的摩爾比大于0.3。
4.根據權利要求2所述的光伏組件,其中,所述與硅原子連接的芳基相對于所述硅樹脂中包含的全部硅原子的摩爾比大于0.5。
5.根據權利要求2所述的光伏組件,其中,所述與硅原子連接的芳基相對于所述硅樹脂中包含的全部硅原子的摩爾比是0.7或大于0.7。
6.根據權利要求2所述的光伏組件,其中,所述硅樹脂由式1的平均組成式表示:
[式1]
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d
其中,R是與硅原子直接連接的取代基,在R中的至少一個表示芳基的情況下,R獨立地表示氫、羥基、環氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、異氰酸酯基、烷氧基或一價烴基;在a+b+c+d為1,并且b和c不同時為0的情況下,a是0至0.6,b是0至0.95,c是0至0.8,d是0至0.4。
7.根據權利要求6所述的光伏組件,其中,所述R中的至少一個是羥基、環氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基或乙烯基。
8.根據權利要求6所述的光伏組件,其中,所述R中的至少一個是環氧基。
9.根據權利要求6所述的光伏組件,其中,所述由式1的平均組成式表示的硅樹脂包含式2或式3的硅氧烷單元:
[式2]
R1R2SiO2/2
[式3]
R3SiO3/2
其中,在R1和R2中的至少一個表示芳基的情況下,R1和R2各自獨立地表示烷基或芳基;R3表示芳基。
10.根據權利要求9所述的光伏組件,其中,在所述硅樹脂中與硅原子連接的全部芳基包含在所述式2或所述式3的硅氧烷單元中。
11.根據權利要求9所述的光伏組件,其中,所述式2的硅氧烷單元是選自式4和式5的硅氧烷單元中的至少一種:
[式4]
(C6H5)(CH3)SiO2/2
[式5]
(C6H5)2SiO2/2。
12.根據權利要求9所述的光伏組件,其中,所述式3的硅氧烷單元是式6的硅氧烷單元:
[式6]
(C6H5)SiO3/2。
13.根據權利要求1所述的光伏組件,其中,所述硅樹脂的重均分子量是500~100,000。
14.根據權利要求1所述的光伏組件,其中,所述光轉換材料由下面式21表示:
[式21]
EuwYxOySz
其中,w是0.01至0.2,x是2至3,y是2至3,z是0至1。
15.根據權利要求1所述的光伏組件,其中,相對于100重量份的所述硅樹脂,所述密封劑包含0.1重量份~10重量份的光轉換材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





