[發明專利]氮化硅質基板、及使用其的電路基板以及電子裝置

有效

• 申請號: 201180005905.2
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102714191A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 石峰裕作;森山正幸;小松原健司
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01L23/15
• 分類號: H01L23/15;H01L23/13;H05K1/02;H05K1/03
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種氮化硅質基板，其特征在于，在由氮化硅質燒結體形成的基板的主面一體化有含硅的多個粒狀體，從所述粒狀體的局部延伸出多個以氮化硅為主成分的針狀結晶或柱狀結晶。

2.根據權利要求1所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述粒狀體一體化為相對于所述基板的主面的半球狀。

3.根據權利要求1或2所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述粒狀體被配置為多列狀。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述粒狀體的密度為48個/cm²以上502個/cm²以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述粒狀體含有鋁氧化物。

6.根據權利要求5所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述基板中的鋁氧化物的含量比所述粒狀體中的鋁氧化物的含量少。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述粒狀體的碳含量為0.05質量％以下。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的氮化硅質基板，其特征在于，所述粒狀體的氧含量為3.5質量％以下。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的氮化硅質基板，其特征在于，從所述基板的主面延伸出多個以氮化硅為主成分的第二針狀結晶或第二柱狀結晶，所述針狀結晶或柱狀結晶的直徑比所述第二針狀結晶或第二柱狀結晶的直徑更細。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的氮化硅質基板，其特征在于，與所述粒狀體相比，構成所述基板的結晶的平均粒徑更小，所述結晶以氮化硅為主成分。

11.一種電路基板，其特征在于，分別介由焊料，在由權利要求1～10中任一項所述的氮化硅質基板構成的支承基板的一個主面接合有由金屬形成的電路構件，在所述支承基板的另一個主面接合有由金屬形成的放熱構件。

12.一種電子裝置，其特征在于，在權利要求11所述的電路基板的所述電路構件上搭載有電子零件。