[發明專利]納米圖形化方法和設備

無效

• 申請號: 201180005881.0
• 申請日: 2011-01-07
• 公開（公告）號: CN102859441A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: B·柯賓
• 申請（專利權）人: 羅利詩公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B82Y40/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;張全信

1.納米圖形化方法，包括

a)提供襯底，在所述襯底表面上具有輻射敏感層；

b)提供可移動的納米結構化膜；

c)使所述納米結構化膜沿接觸表面與所述襯底上的所述輻射敏感層接觸；

d)通過所述接觸分配輻射，同時相對于所述膜平移所述襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米結構化膜引起輻射敏感層的平面中光強的調節。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述納米結構化膜具有表面凸起。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述納米結構化膜是相位移掩模，其引起輻射在所述輻射敏感層中形成干涉圖形。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述納米結構化膜由可共形的彈性體材料制成。

6.根據權利要求2所述的方法，其中所述納米結構化膜由多于一層的透明柔性材料制成。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述外層由彈性體材料制成。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述外層由硅烷材料制成。

9.根據權利要求3所述的方法，其中所述表面凸起是通過從納米結構化的母體襯底進行模塑或鑄塑制造的。

10.根據權利要求2所述的方法，其中所述可共形的納米結構化膜是等離子體掩模。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述等離子體掩模由具有納米孔陣列的金屬膜制成。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述等離子體掩模由沉積或層壓在透明柔性膜上的納米圖形化金屬層制成。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述等離子體掩模由沉積在透明柔性膜上的金屬納米粒子陣列制成。

14.根據權利要求1所述的方法，其中納米結構化膜和輻射敏感層之間的所述接觸是用活動臂進行的。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述活動臂在光敏層曝光期間離開所述接觸。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述活動臂是圓筒，且這種圓筒在與所述納米結構化膜接觸的同時旋轉。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述圓筒具有柔性壁，并通過氣體加壓。

18.根據權利要求16所述的方法，其中光源置于這種圓筒內。

19.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底在從所述納米結構化膜的接觸線分配輻射期間以朝向或遠離所述接觸線的方向平移。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米結構化膜以閉合環移動。

21.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米結構化膜從卷到卷移動。

22.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是剛性板。

23.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底具有曲率。

24.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是柔性膜。

25.根據權利要求1所述的方法，其中在兩個表面上都用光敏層涂覆的所述襯底的另一面上提供另外的納米結構化柔性膜和光源，以在所述襯底的兩面上進行納米圖形化。

26.進行納米圖形化的設備，包括

a)納米結構化膜

以及

b)輻射源，其通過所述納米結構化膜的一部分提供650nm或更小波長的輻射，同時所述部分與材料的輻射敏感層接觸。

27.根據權利要求26所述的設備，其中納米結構化膜是具有表面凸起的聚合物。

28.根據權利要求26所述的設備，其中納米結構化膜是穿孔金屬膜或具有金屬納米粒子的聚合物膜。

29.根據權利要求26所述的設備，其中所述納米結構化膜具有多于一層。

30.根據權利要求26所述的設備，其中提供可移動的圓筒以控制納米結構化膜與所述輻射敏感層接觸。

31.根據權利要求30所述的設備，其中這種圓筒通過氣體加壓。