[發明專利]氣相沉積裝置

無效

• 申請號: 201180005087.6
• 申請日: 2011-06-20
• 公開（公告）號: CN102714147A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 若狹加奈子;坂上英和;坪井俊樹
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種氣相沉積裝置，具有：

反應爐，配設有使薄膜進行氣相沉積的被處理基板；

噴頭，具有導入氣體的氣體導入口、用于使所述氣體擴散的氣體分配空間、穿設有用于將所述氣體分配空間的氣體供給至所述反應爐的內部的多個氣體流路的噴板；以及

排氣口，用于將所述反應爐的氣體向外部排氣，其特征在于，

所述噴頭的氣體分配空間是以所述噴板為底面空間，且具有遠離所述反應爐的排氣口一側的第一空間、和靠近所述反應爐的排氣口一側的第二空間，

并且所述第一空間形成得比所述第二空間高。

2.如權利要求1所述的氣相沉積裝置，其特征在于，

在所述噴頭設有將所述氣體分配空間隔開為上游側空間與下游側空間的2個空間的擴散板，

并且在所述擴散板穿設有從所述上游側空間向下游側空間通過氣體的多個擴散孔。

3.如權利要求1或者2所述的氣相沉積裝置，其特征在于，

在所述噴頭設有調節所述第二空間的高度的第二空間高度調節部件。

4.如權利要求1或者2所述的氣相沉積裝置，其特征在于，

在所述噴頭設有調節所述第一空間的高度的第一空間高度調節部件。