[發明專利]半導體元件的安裝方法

無效

• 申請號: 201180004736.0
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102822955A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 小鹽哲平;松森正史;境忠彥;石川隆稔
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/607
• 分類號: H01L21/607;H01L21/60;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體元件的安裝方法，是將半導體元件的第二電極超聲波接合于載置在基板臺上的基板的第一電極的半導體元件的安裝方法，包括：

接合輔助劑供給工序，向至少任意一方由銅形成的第一電極或第二電極上供給接合輔助劑；以及

超聲波接合工序，通過在將第二電極按壓于第一電極的狀態下給予超聲波振動，來對第一電極和第二電極進行金屬接合，

在超聲波接合工序中，至少在第一電極和第二電極進行金屬接合為止的期間，至少在第一電極和第二電極之間的接合界面的周圍存在接合輔助劑。

2.根據權利要求1所述的半導體元件的安裝方法，其中，

接合輔助劑具有還原性，

在超聲波接合工序中，在第一電極和第二電極進行金屬接合時，第一電極和第二電極之間的接合界面局部被加熱，利用該熱，接合輔助劑引起還原反應。

3.根據權利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其中，

基板的第一電極由銅形成，

在接合輔助劑供給工序中，向基板的第一電極上供給接合輔助劑。

4.根據權利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其中，

基板的第一電極由銅形成，半導體元件的第二電極由金形成，

在超聲波接合工序中，在由銅形成的第一電極和由金形成的第二電極之間的接合界面的周圍存在接合輔助劑的狀態下，進行第一電極和第二電極的金屬接合。

5.根據權利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其中，

還包括接合輔助劑去除工序，該接合輔助劑去除工序，在超聲波接合工序后去除殘存在基板和半導體元件之間的接合輔助劑。

6.根據權利要求5所述的半導體元件的安裝方法，其中，

在接合輔助劑去除工序中，通過對殘存在基板和半導體元件之間的接合輔助劑進行加熱使其蒸發，來進行接合輔助劑的去除。

7.根據權利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其中，

還包括氧化膜去除工序，該氧化膜去除工序，在接合輔助劑供給工序前去除由銅形成的至少第一電極或第二電極中的任意一方的電極上的氧化膜。

8.根據權利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其中，

接合輔助劑具有OH基。

9.根據權利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其中，

接合輔助劑的沸點為200℃以上。

10.一種半導體元件搭載基板的制造方法，是對搭載了半導體元件的基板進行制造的方法，包括：

權利要求2～權利要求9中任一項所述的半導體元件的安裝方法；以及

樹脂密封工序，在接合輔助劑去除工序后，用樹脂對包含基板和半導體元件的間隙以及第一電極和第二電極的接合部分在內的區域進行密封。

11.一種發光元件搭載基板的制造方法，包括：

第二電極的半導體元件是發光元件的、權利要求1所述的半導體元件的安裝方法；

接合輔助劑去除工序，去除殘存在基板和發光元件之間的接合輔助劑；以及

樹脂密封工序，用光透過性的樹脂對包含基板和發光元件的間隙以及第一電極和第二電極的接合部分在內的區域進行密封，

在超聲波接合工序中，至少在第一電極和第二電極進行金屬接合為止的期間，第一電極和第二電極之間的接觸界面被接合輔助劑覆蓋。

12.根據權利要求11所述的發光元件搭載基板的制造方法，其中，

還包括氧化膜去除工序，該氧化膜去除工序，在接合輔助劑供給工序前，去除由銅形成的至少第一電極或第二電極中的任意一方的電極上的氧化膜。

13.根據權利要求12所述的發光元件搭載基板的制造方法，其中，

基板的第一電極由銅形成，

在氧化膜去除工序中，去除基板的第一電極上的氧化膜，

在接合輔助劑供給工序中，向基板的第一電極上供給接合輔助劑。

14.根據權利要求12所述的發光元件搭載基板的制造方法，其中，

基板的第一電極由銅形成，發光元件的第二電極由金形成，

在超聲波接合工序中，在由銅形成的第一電極和由金形成的第二電極之間的接觸界面被接合輔助劑覆蓋的狀態下，進行第一電極和第二電極的金屬接合。