[發(fā)明專利]β型賽隆、發(fā)光裝置及其用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180004529.5
• 申請日: 2011-04-21
• 公開（公告）號: CN102656249A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江本秀幸;南云敏朗
• 申請（專利權(quán)）人: 電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/50
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及被作為熒光體進(jìn)行利用的β型賽隆、發(fā)光裝置及其用途，所述熒光體能夠用于使用了藍(lán)色發(fā)光二極管或紫外線發(fā)光二極管的發(fā)光裝置中。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中，記載了含有Eu的β型賽隆，其可以用作白色LED的熒光體等的發(fā)光裝置的綠～黃色發(fā)光成分。β型賽隆是一種熒光體，在其晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)所含有的Eu²⁺被紫外至藍(lán)色的光激發(fā)，從而顯示出峰值波長為520～560nm的綠～黃色發(fā)光。

在專利文獻(xiàn)2中，公開了一種使含有Eu的β型賽隆的發(fā)光效率提高的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第3921545號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：國際公開第2008/062781號小冊子

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

本發(fā)明的目的在于，提供一種在熒光測定中具有更高的峰值強(qiáng)度的β型賽隆。而且，本發(fā)明的目的還在于，提供一種使用了在熒光測定中具有更高的峰值強(qiáng)度的β型賽隆而發(fā)出更明亮的光的發(fā)光裝置、圖像顯示裝置和照明裝置。

用于解決課題的方法

本發(fā)明是一種β型賽隆，其用通式：Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu(0<z<4.2)表示，P2/P1為0.5以上至1000以下(在式中，P1是在25℃下用電子自旋共振法所得到的一階微分光譜(first?derivative?spectra)中g(shù)=2.00±0.02處所出現(xiàn)的吸收線的高度，P2是在比P1更低的磁場側(cè)的光譜中的最大值與最小值的差)。

P2/P1優(yōu)選為1.9以上至1000以下。

優(yōu)選為，β型賽隆的低磁場側(cè)的光譜中的最大值和最小值都出現(xiàn)在g=3.5以上至6.0以下。

與β型賽隆在25℃下的電子自旋共振光譜中g(shù)=2.00±0.02處所出現(xiàn)的吸收線相對應(yīng)的自旋密度，優(yōu)選為6×10¹⁶個(gè)/克以下。

β型賽隆的Eu含量，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上至3質(zhì)量％以下。

優(yōu)選為，β型賽隆在“照射了波長450nm的藍(lán)色光時(shí)的峰值波長”為520nm以上至560nm以下，其熒光光譜的半峰寬(half?width)為45nm以上至70nm以下。

從其他觀點(diǎn)來看，本發(fā)明是一種發(fā)光裝置，其具有發(fā)光光源和搭載在發(fā)光光源的發(fā)光面上的波長轉(zhuǎn)換部件，并在波長轉(zhuǎn)換部件上配置有上述的β型賽隆。

從其他觀點(diǎn)來看，本發(fā)明是一種圖像顯示裝置，其具有液晶面板和液晶面板的背光源，背光源具有上述的發(fā)光裝置。

從其他觀點(diǎn)來看，本發(fā)明是一種照明裝置，其具有上述的發(fā)光裝置。

發(fā)明效果

本發(fā)明的β型賽隆在熒光測定中具有更高的峰值強(qiáng)度。利用了該β型賽隆的發(fā)光裝置、圖像顯示裝置和照明裝置，由于使用了在熒光測定中具有更高的峰值強(qiáng)度的β型賽隆，所以可發(fā)出更明亮的光。

附圖說明

圖1是表示不含有Eu的β型賽隆的ESR光譜圖。

圖2是表示含有Eu的β型賽隆的ESR光譜圖。

圖3是表示氧化銪粉末的ESR光譜圖。

圖4是表示實(shí)施例1的β型賽隆的ESR光譜圖。

圖5是表示實(shí)施例2和比較例1的β型賽隆的ESR光譜圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明是一種β型賽隆，其用通式：Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu(0<z<4.2)表示，P2/P1為0.5以上至1000以下(在式中，P1是在25℃下用電子自旋共振法所得到的一階微分光譜中g(shù)=2.00±0.02處所出現(xiàn)的吸收線的高度，P2是在比P1更低的磁場側(cè)的光譜中的最大值與最小值的差)。

本發(fā)明中的P1是，在25℃下用電子自旋共振法(以下稱為ESR(Electron?Spin?Resonance)法)所得到的一階微分光譜中g(shù)=2.00±0.02處所出現(xiàn)的吸收線的高度，具體地說，在圖4中表示為P1。本發(fā)明中的P2是在比P1更低的磁場側(cè)的光譜中的最大值與最小值的差，具體地說，在圖4中表示為P2。