[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180004276.1
• 申請(qǐng)日: 2011-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102656692A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤井覺(jué);空田晴之;三河巧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/105
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍;高迪

1.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，包括：

第一電極布線，在襯底上被形成為帶狀；

層間絕緣層，被形成在所述第一電極布線以及所述襯底上；

存儲(chǔ)單元孔，貫通所述層間絕緣層而到達(dá)所述第一電極布線；

電阻變化層，在所述存儲(chǔ)單元孔中，被形成在覆蓋所述存儲(chǔ)單元孔的底部以及側(cè)面的區(qū)域；

第一電極，在所述電阻變化層上，被形成在所述存儲(chǔ)單元孔的內(nèi)部；以及

第一布線，在所述第一電極以及所述層間絕緣層上，在至少覆蓋所述存儲(chǔ)單元孔的開(kāi)口的區(qū)域，在與所述第一電極布線交叉的方向上被形成為帶狀，

所述電阻變化層為第一電阻變化層與第二電阻變化層的層疊構(gòu)造體，所述第一電阻變化層由缺氧型過(guò)渡金屬氧化物構(gòu)成，所述第二電阻變化層由缺氧氮型過(guò)渡金屬氧氮化物構(gòu)成，所述缺氧氮型過(guò)渡金屬氧氮化物的含氧率與所述第一電阻變化層不同，

在將所述過(guò)渡金屬表示為M、將所述第一電阻變化層的組成表示為MO_z、將所述第二電阻變化層的組成表示為MO_xN_y的情況下，

滿足z＞x+y的關(guān)系。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，

所述第一電阻變化層與所述存儲(chǔ)單元孔的底部以及側(cè)面接觸，所述第二電阻變化層與所述第一電阻變化層接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，

所述過(guò)渡金屬為，從由鉭、鉿、鋯、鎳、鈦而成的群中選擇的某一個(gè)過(guò)渡金屬。

4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，

所述過(guò)渡金屬為鉭。

5.如權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，

缺氧氮型鉭氧氮化物中占有的氧原子數(shù)與氮原子數(shù)的總和為50至70atm％。

6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，

在所述第一電極與所述第一布線之間設(shè)置有第一電流控制層。