[實用新型]一種用于晶圓多晶硅膜生長過程中的氣體彌散裝置

有效

• 申請號: 201120528837.5
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN202430283U
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 徐繼平;王海濤;劉斌;李耀東;寧永鐸;邊永智;孫洪波;魯進軍
• 申請（專利權）人: 有研半導體材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/24;C30B28/14
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 郭佩蘭

1.一種用于晶圓多晶硅膜生長過程中的氣體彌散裝置，其特征在于：它包括：主進氣管(3)，中心管，補償進氣管，上述三根管的兩端部分別連通，連通后的一端接主進氣口(1)，另一端接次進氣口(2)，主進氣管上等距分布著主進氣孔，所述的補償進氣管為變徑管，其中一段為主補償進氣管(4)，一端為次補償進氣管(5)，主補償進氣管上設有等距分布的主補償進氣孔，次補償進氣管上設有等距分布的次補償進氣孔。

2.根據權利要求1所述用于晶圓多晶硅膜生長過程中的氣體彌散裝置，其特征在于：本裝置總長度1為2250-2255mm；本裝置材質為電子級石英材料，所用材料壁厚為1.5mm。

3.根據權利要求1所述用于晶圓多晶硅膜生長過程中的氣體彌散裝置，其特征在于：主進氣口長度a為148-152mm，內徑Φ7為7mm，次進氣口長度b為198-202mm，內徑Φ5為6mm.主進氣管長度h為1900-1910mm，內徑Φ6為5-6mm；上面分布著等距的主進氣孔，主進氣孔間距為110-120mm，主進氣孔直徑Φ1為2.4-2.6mm。

4.根據權利要求1所述用于晶圓多晶硅膜生長過程中的氣體彌散裝置，其特征在于：主補償進氣管長度f為1055-1065mm，內徑Φ4為14-16mm；上面分布著等距的主補償進氣進氣孔，主補償進氣孔間距e為90-100mm，補償進氣進氣孔孔直徑Φ2為4.9-5.1mm.

5.根據權利要求1所述用于晶圓多晶硅膜生長過程中的氣體彌散裝置，其特征在于：次補償進氣管長度y為980-990mm，內徑Φ8為5-6mm；上面分布著等距的次補償進氣孔，次補償進氣孔間距m為50-60mm，補償進氣進氣孔直徑Φ3為1.4-1.6mm。

6.根據權利要求1所述用于晶圓多晶硅膜生長過程中使用的氣體彌散裝置，其特征在于：從主進氣口端開始到第一個主補償進氣孔的距離c為510-530mm.：從第一個主補償進氣孔到第一個次補償進氣孔的距離d為1070-1080mm從主進氣口端開始到第一個主進氣孔的距離k為450-470mm.

7.根據權利要求1所述用于晶圓多晶硅膜生長過程中使用的氣體彌散裝置，其特征在于：主進氣口與主進氣管連接處弧度R1為14-15mm，主進氣口與主補償進氣管連接處弧度R2為16-17mm，次進氣孔與主進氣管連接處弧度R4為14-15mm，次進氣口與次補償進氣管連接弧度R3為14-15mm。