[實(shí)用新型]一種屏蔽帽

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120508304.0
• 申請(qǐng)日: 2011-11-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202455728U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳錦龍;張明明;張定雄;饒喜梅;田立
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市沃爾核材股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K9/00
• 分類號(hào): H05K9/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種屏蔽帽。?

背景技術(shù)

目前，電子元器件會(huì)產(chǎn)生電磁信號(hào)，該等電磁信號(hào)會(huì)干擾其他電子元器件。?

因此，迫切需要一種能夠?qū)﹄娮釉骷碾姶判盘?hào)進(jìn)行屏蔽，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)使待保護(hù)電子元器件既不對(duì)其它元器件產(chǎn)生電磁干擾，也保護(hù)待保護(hù)器件不受其它元器件的電磁干擾的屏蔽帽。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠屏蔽電磁信號(hào)的屏蔽帽。?

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所提供一種屏蔽帽，包括帽體，帽體具有一收容腔和一帽體壁，帽體壁包括絕緣層和導(dǎo)磁層。?

優(yōu)選地，所述絕緣層位于內(nèi)層，所述導(dǎo)磁層位于外層，或者是導(dǎo)磁層位于內(nèi)層，絕緣層位于外層。?

優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁層由高導(dǎo)磁率高分子材料制成。?

優(yōu)選地，所述屏蔽帽為熱縮屏蔽帽。?

優(yōu)選地，所述絕緣層為熱融膠層、PVC層或PET層。?

如上所述，本實(shí)用新型屏蔽帽包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括絕緣層和導(dǎo)磁層，導(dǎo)磁層能夠屏蔽電磁信號(hào)，尤其對(duì)低頻電磁信號(hào)的屏蔽效果更佳。?

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型屏蔽帽第一實(shí)施例的示意圖；?

圖2為本實(shí)用新型屏蔽帽第二實(shí)施例的示意圖。?

圖中各附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：?

帽體????????10??????收容腔???????11?

帽體壁??????12??????絕緣層???????121/121’?

導(dǎo)磁層??????122/122’?

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。?

請(qǐng)參閱圖1，其揭示了本實(shí)用新型屏蔽帽的第一實(shí)施例，包括帽體10，帽體10具有一收容腔11，帽體10于收容腔11形成有帽體壁12。?

帽體壁12包括絕緣層121和導(dǎo)磁層122。絕緣層121位于內(nèi)層，導(dǎo)磁層122位于外層。?

絕緣層121可為熱融膠層、PVC層或PET層，主要起絕緣密封作用。?

導(dǎo)磁層122可由高導(dǎo)磁率高分子材料制成，高導(dǎo)磁率高分子材料可以以高分子材料為基材，加入一定數(shù)量的高導(dǎo)磁率材料共混而成。高導(dǎo)磁率材料包括錳鋅鐵氧體材料、鎳鋅鐵氧體材料、銅鋅鐵氧體材料、鐵硅鋁材料、羰基鐵等。?

導(dǎo)磁層122采用高導(dǎo)磁率的材料，形成低磁阻的通路，通過(guò)屏蔽體的吸收衰減以達(dá)到屏蔽的效果，能夠?qū)﹄姶判盘?hào)尤其是低頻信號(hào)進(jìn)行有效的屏蔽。?

請(qǐng)參閱圖2，其揭示了本實(shí)用新型屏蔽帽的第二實(shí)施例，本實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，其區(qū)別在于：絕緣層121’位于外層，導(dǎo)磁層122’位于內(nèi)層。?

本實(shí)用新型并不局限于上述具體實(shí)施方式，熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員還可據(jù)此做出多種變化，但任何與本實(shí)用新型等同或相類似的變化都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型權(quán)利要求的范圍內(nèi)。?