[實用新型]用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置有效
| 申請號： | 201120503113.5 | 申請日： | 2011-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN202430327U | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發明（設計）人： | 方峰;高朝陽;鄧德輝;鄭沉;王學峰 | 申請（專利權）人： | 有研半導體材料股份有限公司;國泰半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/04 | 分類號： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩蘭 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 生長 摻雜 晶體 裝置 | ||
1.一種用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置，該摻雜裝置由摻雜單元組合而成，該摻雜裝置與單晶爐的提拉軸連接，其特征在于：摻雜單元的軸線不與石英坩堝的軸線和/或單晶爐的提拉軸重合，即摻雜單元相對于石英坩堝的軸線處于偏心狀態。
2.根據權利要求1所述的用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置，其特征在于：所述摻雜裝置具有兩個摻雜單元，每個摻雜單元的軸線均不與石英坩堝的軸線和/或單晶爐的提拉軸重合，每個摻雜單元相對于石英坩堝的軸線均處于偏心狀態。
3.根據權利要求2所述的用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置，其特征在于：所述兩個摻雜單元呈180度分布，相對所述石英坩堝內熔體液面的垂直高度相同。
4.根據權利要求2所述的用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置，其特征在于：所述兩個摻雜單元呈180度分布，相對所述石英坩堝內熔體液面的垂直高度不同。
5.根據權利要求1所述的用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置，其特征在于：所述摻雜裝置具有三個摻雜單元，每個摻雜單元的軸線均不與石英坩堝的軸線和/或單晶爐的提拉軸重合，每個摻雜單元相對于石英坩堝的軸線均處于偏心狀態。
6.根據權利要求5所述的用于生長摻雜直拉晶體的摻雜裝置，其特征在于：所述三個摻雜單元呈120度分布，三個摻雜單元相對所述石英坩堝內熔體液面的垂直高度相同、或者其中兩個摻雜單元相對所述石英坩堝內熔體液面的垂直高度相同、或者三個摻雜單元相對所述石英坩堝內熔體液面的垂直高度各不相同。
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