[實用新型]堿金屬和堿土金屬的沉積系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120496500.0
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN202465855U
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秉圣·郭;斯蒂芬·班格;邁克爾·柯尼希;弗洛里安·里斯;拉爾夫·霍夫曼
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強(qiáng)

1.一種用于堿金屬和堿土金屬的沉積系統(tǒng)，包括：

真空室；

在所述真空室內(nèi)的金屬濺射靶，所述靶包括貼附到背板的靶材料，所述背板包括冷卻通道；

在所述真空室內(nèi)的基板固定器，所述固定器配置成保持基板，所述基板面對且平行于所述金屬濺射靶；以及

多個功率源，所述多個功率源配置向在所述基板和所述靶材料之間點燃的等離子體施加能量；

其中所述靶材料是堿金屬或堿土金屬。

2.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中所述冷卻通道的截面是圓形的、矩形的或者是錐形的。

3.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括泵和冷卻單元，所述泵和冷卻單元配置成經(jīng)由所述冷卻通道循環(huán)致冷劑。

4.如權(quán)利要求3所述的沉積系統(tǒng)，其中在低于零攝氏度的溫度下向所述冷卻通道提供所述致冷劑。

5.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括蓋，所述蓋配置成安裝在所述靶材料上方，所述蓋和所述金屬濺射靶配置成在所述蓋和所述金屬濺射靶之間形成密封。

6.如權(quán)利要求5所述的沉積系統(tǒng)，其中所述蓋包括把手，用于去除或者替換在所述沉積系統(tǒng)內(nèi)的所述蓋，所述沉積系統(tǒng)配置成適應(yīng)自動去除所述蓋并將所述蓋存儲在與所述金屬濺射靶相鄰的非濺射區(qū)域中。

7.如權(quán)利要求5所述的沉積系統(tǒng)，其中所述蓋包括閥，用于提供在所述靶材料和所述蓋之間的密封空間的通道，以便泵送、凈化或者加壓所述密封空間中的氣體。

8.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中所述多個功率源包括耦合到所述靶的第一射頻功率源和耦合到所述靶的第二射頻功率源，所述第一射頻功率源和所述第二射頻功率源配置成向所述金屬濺射靶提供不同頻率。

9.如權(quán)利要求8所述的沉積系統(tǒng)，其中所述第一射頻功率源控制靶材料自偏壓，并且所述第二射頻功率源控制所述等離子體中的離子密度。

10.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中所述多個功率源包括耦合到所述靶的射頻功率源和耦合到所述靶的直流功率源。

11.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中所述多個功率源包括耦合到所述靶的射頻功率源和耦合到所述靶的脈沖直流功率源。

12.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中所述沉積系統(tǒng)配置成結(jié)合到組合工具中。

13.如權(quán)利要求12所述的沉積系統(tǒng)，其中所述靶材料的表面積大于基板面積。

14.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中所述沉積系統(tǒng)配置成結(jié)合到串聯(lián)工具中。

15.如權(quán)利要求14所述的沉積系統(tǒng)，其中所述靶材料寬度大于基板寬度。

16.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括耦合到所述真空室的工藝氣體源，所述工藝氣體源包括惰性氣體源，選擇原子量小于所述靶材料原子量的所述惰性氣體。

17.如權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括耦合到所述真空室的工藝氣體源，所述工藝氣體源包括惰性氣體源，所述惰性氣體包括第一惰性氣體和第二惰性氣體，所述第一惰性氣體的原子量小于所述靶材料的原子量，所述第二惰性氣體的原子量大于所述靶材料的原子量。

18.如權(quán)利要求17所述的沉積系統(tǒng)，其中所述第一惰性氣體是氦，所述第二惰性氣體是氬，并且所述靶材料是鋰。