[實(shí)用新型]單基島埋入多圈引腳無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120486255.5
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN202394939U
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新潮;梁志忠;謝潔人;吳昊
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種單基島埋入多圈引腳無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。?

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的引線框結(jié)構(gòu)主要有兩種：?

第一種：采用金屬基板進(jìn)行化學(xué)蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進(jìn)行封裝過程的引線框載體（如圖3所示）；

第二種：采用首先在金屬基板的背面進(jìn)行化學(xué)半蝕刻，再將前述已經(jīng)過化學(xué)半蝕刻的區(qū)域進(jìn)行塑封料的包封，之后將金屬基板的正面進(jìn)行內(nèi)引腳的化學(xué)蝕刻，完成后再進(jìn)行引線框內(nèi)引腳表面的電鍍，即完成引線框的制作（如圖5所示）。

而上述兩種引線框在封裝過程中存在了以下不足點(diǎn)：?

第一種：???????????????????????

1、此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接增加了高昂的成本；

2、也因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的裝片工藝只能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電的粘結(jié)物質(zhì)，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就有較大的局限性；

3、又因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的金屬線鍵合工藝中，因?yàn)榇丝煽垢邷氐哪z膜是軟性材質(zhì)，所以造成了金屬線鍵合參數(shù)的不穩(wěn)定，嚴(yán)重的影響了金屬線鍵合的質(zhì)量及產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性；

4、再因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑封工藝過程，因?yàn)樗芊鈺r(shí)的注膠壓力很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應(yīng)屬金屬腳是導(dǎo)電的型態(tài)因?yàn)闈B入了塑封料反而變成了絕緣腳（如圖4所示）。

第二種：?

1、因?yàn)榉謩e進(jìn)行了二次的蝕刻作業(yè)，所以多增加了工序作業(yè)的成本；

2、引線框的組成是金屬物質(zhì)加環(huán)氧樹脂物質(zhì)（塑封料）所以在高溫下容易因?yàn)椴煌镔|(zhì)的膨脹與收縮應(yīng)力的不相同，產(chǎn)生引線框翹曲問題；

3、也因?yàn)橐€框的翹曲直接影響到封裝工序中的裝置芯片的精準(zhǔn)度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；

4、也因?yàn)橐€框的翹曲直接影響到封裝工序中的金屬線鍵合的對位精度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；

5、因?yàn)橐€框正面的內(nèi)引腳是采用蝕刻的技術(shù)，所以蝕刻內(nèi)引腳的腳寬必須大于100μm，而內(nèi)引腳與內(nèi)引腳的間隙也必須大于100μm，所以較難做到內(nèi)引腳的高密度能力。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種單基島埋入多圈引腳無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產(chǎn)品種類廣，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實(shí)現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。?

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種單基島埋入多圈引腳無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是：它包括外引腳，所述外引腳設(shè)置有多圈，所述外引腳正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳，所述內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間設(shè)置有芯片，所述芯片正面與內(nèi)引腳正面之間用金屬線連接，所述內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間跨接有無源器件，所述內(nèi)引腳上部以及芯片、金屬線和無源器件外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區(qū)域以及外引腳與外引腳之間的區(qū)域嵌置有填縫劑，且外引腳的背面露出填縫劑外，在露出填縫劑外的外引腳的背面設(shè)置有錫球。?

所述內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間通過多層電鍍方式形成內(nèi)基島，所述芯片設(shè)置于內(nèi)基島正面。?

所述第一金屬層可以采用鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類似結(jié)構(gòu)。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例，其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結(jié)合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。?

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：?

1、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；

2、也因?yàn)榇朔N引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的工藝除了能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電的粘結(jié)物質(zhì)外，還能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的種類較廣；

3、又因?yàn)榇朔N的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了金屬線鍵合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了金屬線鍵合的質(zhì)量和產(chǎn)品的可靠度的穩(wěn)定性；

4、再因?yàn)榇朔N的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的工藝過程中完全不會(huì)造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；