[實(shí)用新型]一種LED電源的調(diào)光電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120481369.0 | 申請日: | 2011-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202425108U | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明亮;肖鏗;李方秋 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳可立克科技股份有限公司;信豐可立克科技有限公司;惠州市可立克科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B37/02 | 分類號(hào): | H05B37/02 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 518103 廣東省深圳市寶安區(qū)福永*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 電源 調(diào)光 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及LED電源設(shè)備,特別是涉及一種LED電源的調(diào)光電路。?
背景技術(shù)
現(xiàn)在的LED電源的可控硅調(diào)光電路一般都是集成在IC內(nèi)部,有2個(gè)不足之處。1)這些調(diào)光電路通過檢測可控硅導(dǎo)通角的大小,進(jìn)而去控制LED電源初級(jí)電流Ip的大小,根據(jù)公式0.5*L*Ip*Ip*F=Po/Eff式中L是變壓器電感量,F(xiàn)是開關(guān)頻率,Eff.是電源效率,這三者基本不變;Ip是變壓器初級(jí)峰值電流。如果改變Ip,是可以改變Po,又因?yàn)镻o=Vo*Io,假設(shè)Vo是恒定的,改變Po能改變流經(jīng)LED燈的電流,從而達(dá)到調(diào)光的目的。但LED有個(gè)特性,通常會(huì)因?yàn)槠渲圃旃に嚨牟煌斐伤膲航涤休^大的差異,如果Vo變化范圍較大的話,例如有10V以上的差異,這個(gè)調(diào)光效果就很不好了;2)現(xiàn)在業(yè)界頂尖的IC供應(yīng)商,例如PI,TI,Iwatt,ON?Semi.等,它們集成在IC內(nèi)部的可控硅調(diào)光電路通常只能做到低功率輸出,例如在25W以下,如果輸出功率上升至25W以上,通常就無能為力了。?
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是,克服上述技術(shù)缺陷,提供一種LED電源的調(diào)光電路,利用普通的元器件實(shí)現(xiàn)完整的LED電源的可控硅PWM調(diào)光功能。?
本實(shí)用新型通過以下技術(shù)手段解決上述技術(shù)問題:?
一種LED電源的調(diào)光電路,其中,所述LED電源的輸入端串接有可控硅調(diào)光器,該調(diào)光電路包括檢測所述可控硅調(diào)光器的可控硅導(dǎo)通角的導(dǎo)通角檢測電路、以及輸入端與所述LED電源的次級(jí)輸出端連接的PWM控制電路,該P(yáng)WM控制電路的輸出端為LED的接入端子;其中,所述PWM控制電路的PWM信號(hào)輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號(hào)輸出端連接。?
優(yōu)選地,所述PWM控制電路的PWM信號(hào)輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號(hào)輸出端通過光耦合器耦接。?
優(yōu)選地,所述導(dǎo)通角檢測電路包括第一分壓電阻組、第二分壓電阻組以及三極管(Q2);所述第一分壓電阻組的第一端與所述可控硅調(diào)光器的輸出端連接、第二端與所述第二分壓電阻組的第一端連接,所述第二分壓電阻組的第二端接地,所述三極管(Q2)的基極連接至所述第一分壓電阻組和第二分壓電阻組的連接點(diǎn)、集電極接基準(zhǔn)電壓信號(hào)、發(fā)射極接地,所述光耦合器的輸入端串接在所述三極管的集電極或發(fā)射極。?
優(yōu)選地,所述第一分壓電阻組包括串聯(lián)的第一電阻(R1)和第二電阻(R2),所述第二分壓電阻組包括第三電阻(R3)。?
優(yōu)選地,所述PWM控制電路包括第五電阻(R5)、第六電阻(R6)、以及P溝道MOSFET(Q1);所述第五電阻(R5)的第一端與P溝道MOSFET(Q1)的源極連接后作為PWM控制電路的輸入端與所述LED電源的次級(jí)輸出端連接,所述第五電阻(R5)的第二端與所述P溝道MOSFET(Q1)的柵極、第六電阻(R6)的第一端連接,所述第六電阻(R6)的第二端與所述光耦合器的輸出端連接,所述P溝道MOSFET(Q1)的漏極為LED的接入端子。?
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型不是靠改變電源初級(jí)的Ip來改變輸出功率,而是把初級(jí)檢測到的可控硅導(dǎo)通角的變化通過一個(gè)光耦傳遞到LED電源的次級(jí),通過Q?1導(dǎo)通占空比的變化來改變流過LED燈的平均電流,從而達(dá)到調(diào)光目的,調(diào)光效果不受LED個(gè)體特性差異的影響;而且,由于采用普通分立元件實(shí)現(xiàn)PWM控制,克服了將可控硅調(diào)光電路集成在IC內(nèi)部無法實(shí)現(xiàn)大功率輸出的缺陷。?
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式的可控硅調(diào)光器的主電路圖;?
圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式的可控硅調(diào)光器輸出電壓的波形圖;?
圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式的調(diào)光電路圖;?
圖4是圖3的調(diào)光電路的可控硅導(dǎo)通角與PWM控制的占空比的關(guān)系圖。?
具體實(shí)施方式
下面對照附圖并結(jié)合優(yōu)選的實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。?
本實(shí)施例是一種應(yīng)用于輸入端串接有可控硅調(diào)光器的LED電源的調(diào)光電路,其包括檢測所述可控硅調(diào)光器的可控硅導(dǎo)通角的導(dǎo)通角檢測電路、以及輸入?端與所述LED電源的次級(jí)輸出端連接的PWM控制電路,該P(yáng)WM控制電路的輸出端為LED的接入端子;其中,所述PWM控制電路的PWM信號(hào)輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號(hào)輸出端連接,從而使得PWM控制電路根據(jù)可控硅導(dǎo)通角的變化調(diào)節(jié)輸出至LED的功率的占空比。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳可立克科技股份有限公司;信豐可立克科技有限公司;惠州市可立克科技有限公司,未經(jīng)深圳可立克科技股份有限公司;信豐可立克科技有限公司;惠州市可立克科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120481369.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





