[實用新型]單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構

有效

• 申請號: 201120479968.9
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN202394934U
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;謝潔人;吳昊
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/49;H01L23/60
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，其特征在于：它包括外引腳（1）和外靜電釋放圈（2），所述外引腳（1）正面通過多層電鍍方式形成內引腳（4），所述外靜電釋放圈（2）正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈（5），所述外靜電釋放圈（2）內部設置有芯片（6），所述芯片（6）正面與內引腳（4）正面之間以及芯片（6）正面與內靜電釋放圈（5）正面之間用金屬線（7）連接，所述內引腳（4）上部以及芯片（6）和金屬線（7）外包封有塑封料（8），所述外引腳（1）外圍的區域、外靜電釋放圈（2）與外引腳（1）之間的區域以及外引腳（1）與外引腳（1）之間的區域均嵌置有填縫劑（11），且外引腳（1）和外靜電釋放圈（2）的背面露出填縫劑（11）外，在露出填縫劑（11）外的外引腳（1）和外靜電釋放圈（2）的背面設置有第二金屬層（10）。

2.根據權利要求1所述的一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，其特征在于：所述外靜電釋放圈（2）內部正面通過多層電鍍方式形成內基島（3），所述芯片（6）設置于內基島（3）正面。