[實用新型]多基島埋入單圈引腳無源器件封裝結構

有效

• 申請號: 201120479963.6
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN202394877U
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;謝潔人;吳昊
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術領域

本實用新型涉及一種多基島埋入單圈引腳無源器件封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

傳統的引線框結構主要有兩種：

第一種：采用金屬基板進行化學蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體（如圖3所示）；

第二種：采用首先在金屬基板的背面進行化學半蝕刻，再將前述已經過化學半蝕刻的區域進行塑封料的包封，之后將金屬基板的正面進行內引腳的化學蝕刻，完成后再進行引線框內引腳表面的電鍍，即完成引線框的制作（如圖5所示）。

而上述兩種引線框在封裝過程中存在了以下不足點：

第一種：

1、此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接增加了高昂的成本；

2、也因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的裝片工藝只能使用導電或是不導電的粘結物質，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片，所以可選擇的產品種類就有較大的局限性；

3、又因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的金屬線鍵合工藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質，所以造成了金屬線鍵合參數的不穩定，嚴重的影響了金屬線鍵合的質量及產品可靠度的穩定性；

4、再因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑封工藝過程，因為塑封時的注膠壓力很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應屬金屬腳是導電的型態因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳（如圖4所示）。

第二種：

1、因為分別進行了二次的蝕刻作業，所以多增加了工序作業的成本；

2、引線框的組成是金屬物質加環氧樹脂物質（塑封料）所以在高溫下容易因為不同物質的膨脹與收縮應力的不相同，產生引線框翹曲問題；

3、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝工序中的裝置芯片的精準度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產良率；

4、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝工序中的金屬線鍵合的對位精度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產良率；

5、因為引線框正面的內引腳是采用蝕刻的技術，所以蝕刻內引腳的腳寬必須大于100μm，而內引腳與內引腳的間隙也必須大于100μm，所以較難做到內引腳的高密度能力。

發明內容

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種多基島埋入單圈引腳無源器件封裝結構，它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產品種類廣，金屬線鍵合的質量與產品可靠度的穩定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現了內引腳的高密度能力。?

本實用新型的目的是這樣實現的：一種多基島埋入單圈引腳無源器件封裝結構，其特點是：它包括外引腳，所述外引腳正面通過多層電鍍方式形成內引腳，所述內引腳與內引腳之間通過多層電鍍方式形成內基島，所述內基島有多個，所述內基島正面設置有芯片，所述芯片正面與內引腳正面之間以及芯片正面與芯片正面之間用金屬線連接，所述內引腳與內引腳之間跨接有無源器件，所述內基島和內引腳上部以及芯片和金屬線外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區域以及外引腳與外引腳之間的區域嵌置有填縫劑，且外引腳的背面露出填縫劑外，在露出填縫劑外的外引腳的背面設置有第二金屬層。

所述第一金屬層可以采用鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類似結構。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例，其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。

所述第二金屬層的成分根據不同的芯片的功能可以采用金鎳金、金鎳銅鎳金、鎳鈀金、金鎳鈀金、鎳金、銀或錫等。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

1、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；

2、也因為此種引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的工藝除了能使用導電或是不導電的粘結物質外，還能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片，所以可選擇的種類較廣；

3、又因為此種的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了金屬線鍵合參數的穩定性，保證了金屬線鍵合的質量和產品的可靠度的穩定性；

4、再因為此種的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的工藝過程中完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；