[實用新型]半環形片上天線以及包括該天線的射頻識別標簽有效
| 申請號: | 201120471144.7 | 申請日: | 2011-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN202395150U | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 孔維新;安文星;韓方正;王彬;洪衛軍;李書芳;楊作興;陳坤鵬 | 申請(專利權)人: | 揚州稻源微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/22;G06K19/077 |
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| 地址: | 211400 江蘇省儀*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 環形 天線 以及 包括 射頻 識別 標簽 | ||
1.一種片上天線,包括饋線和饋電點,其特征在于,
所述饋電點包括第一饋電點和第二饋電點;
所述饋線包括:
從所述第一饋電點連接引出的長直型饋線;
彎折型饋線,以及
多條開路饋線;
其中,所述彎折型饋線的兩端分別連接長直型饋線和第二饋電點,所述彎折型饋線被設置成多段半環形的饋線段彎折地依次首尾連接并平行地排列、以形成半環形結構饋線,每條所述開路饋線的一端連接于所述長直型饋線并插置于平行排列的兩相鄰饋線段之間,所述饋電點設置在所述彎折型饋線形成的半環形結構中。
2.如權利要求1所述的片上天線,其特征在于,所述半環形結構為半正方形結構或半長方形結構。
3.如權利要求2所述的片上天線,其特征在于,所述第一饋電點和第二饋電點設置于所述半正方形結構或半長方形結構的對角位置點。
4.如權利要求2所述的片上天線,其特征在于,彎折型饋線中的所述饋線段為直角彎曲的饋線段。
5.如權利要求1-4任一所述的片上天線,其特征在于,所述開路饋線為直線或者直角彎曲線形式、并平行于所述饋線段設置。
6.如權利要求1所述的片上天線,其特征在于,彎折型饋線中兩段任意相鄰的饋線段之間的間距相同。
7.如權利要求1或6所述的片上天線,其特征在于,所述彎折型饋線的寬度均勻并設置在0.1-16微米之間。
8.如權利要求1或6所述的片上天線,其特征在于,彎折型饋線中兩段任意相鄰的饋線段之間的間距設置在1-100微米之間。
9.一種射頻識別標簽,其特征在于,包括標簽芯片以及如權利要求1至4中任一項所述的片上天線,所述標簽芯片與所述片上天線集成地形成于同一襯底之上。
10.如權利要求9所述的射頻識別標簽,其特征在于,所述標簽芯片通過所述襯底形成,在所述標簽芯片之上,依次地覆蓋n層介質層,在每層所述介質層中構圖形成一個所述片上天線以形成n層片上天線,n層片上天線之間通過其饋電點并聯地連接至所述標簽芯片,其中,n為大于或等于2的整數。
11.如權利要求9所述的射頻識別標簽,其特征在于,所述標簽芯片對應于所述半環形結構的邊緣處設置。
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