[實用新型]單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器

有效

• 申請號: 201120470074.3
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN202329868U
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 肖智寬;于曉暉;胡正東
• 申請（專利權）人: 成都酷玩網絡科技有限公司
• 主分類號: G01K11/32
• 分類號: G01K11/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器，其特征在于：包括砷化鎵敏感探頭、紅外LED、輸入耦合裝置、輸出耦合裝置、光電三極管、放大電路和顯示裝置，所述紅外LED的光信號輸出端通過所述輸入耦合裝置與所述砷化鎵敏感探頭的光信號輸入端連接，所述砷化鎵敏感探頭的光信號輸出端依次連接所述輸出耦合裝置、所述光電三極管和所述放大電路后與所述顯示裝置的輸入端連接。

2.根據權利要求1所述的單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器，其特征在于：還包括穩壓電源，所述穩壓電源的輸入端與交流電源連接，所述穩壓電源的輸出端與所述紅外LED的電源輸入端連接。

3.根據權利要求1所述的單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器，其特征在于：所述砷化鎵敏感探頭包括砷化鎵晶片、套管、插芯和法蘭，所述套管置于所述法蘭內，所述插芯置于所述套管內，所述砷化鎵晶片的兩個側面分別與輸入光纖和輸出光纖連接，所述輸入光纖和所述輸出光纖均置于所述插芯內，所述砷化鎵晶片置于所述插芯的中部并與所述插芯相互垂直。

4.根據權利要求3所述的單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器，其特征在于：所述砷化鎵晶片的兩個側面分別與所述插芯粘結連接。

5.根據權利要求3或4所述的單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器，其特征在于：所述插芯為陶瓷插芯。

6.根據權利要求3所述的單光路半導體吸收型光纖溫度傳感器，其特征在于：所述套管為陶瓷套管。