[實(shí)用新型]多基島露出型單圈引腳靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120466145.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202394902U | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王新潮;梁志忠;謝潔人;吳昊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭 |
| 地址： | 214434 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多基島 露出 型單圈 引腳 靜電 釋放 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種多基島露出型單圈引腳靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括外基島（1）、外引腳（2）和外靜電釋放圈（3），所述外基島（1）設(shè)置有多個(gè)，所述外引腳（2）設(shè)置有一圈，所述外靜電釋放圈（3）設(shè)置于外基島（1）與外引腳（2）之間，所述外引腳（2）正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳（5），所述外靜電釋放圈（3）正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈（6），所述外基島（1）正面設(shè)置有芯片（7），所述芯片（7）正面與內(nèi)引腳（5）正面之間、芯片（7）正面與內(nèi)靜電釋放圈（6）正面之間以及芯片（7）正面與芯片（7）正面之間用金屬線（8）連接，所述內(nèi)引腳（5）上部以及芯片（7）和金屬線（8）外包封有塑封料（9），所述外引腳（2）外圍的區(qū)域、外基島（1）與外靜電釋放圈（3）之間的區(qū)域、外靜電釋放圈（3）與外引腳（2）之間的區(qū)域以及外引腳（2）與外引腳（2）之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑（12），且外基島（1）、外引腳（2）和外靜電釋放圈（3）的背面露出填縫劑（12）外，在露出填縫劑（12）外的外基島（1）、外引腳（2）和外靜電釋放圈（3）的背面設(shè)置有第二金屬層（11）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出型單圈引腳靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述外基島（1）正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島（4），所述芯片（7）設(shè)置于內(nèi)基島（4）正面。
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