[實用新型]氮化物半導體元件及氮化物半導體封裝有效
| 申請號： | 201120465900.5 | 申請日： | 2011-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN202564376U | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 高堂真也;伊藤范和;山口敦司 | 申請（專利權）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 元件 封裝 | ||
1.一種氮化物半導體元件，其特征在于包括：
Si基板；
緩沖層，包含形成在所述Si基板的主表面上的AlN層、及形成在該AlN層上且積層多層AlGaN層而形成的AlGaN積層構造；
GaN電子移動層，形成在所述AlGaN積層構造上；及
AlGaN電子供給層，形成在所述GaN電子移動層上；
在所述AlGaN積層構造中，基準AlGaN層的a軸平均晶格常數比接于該基準AlGaN層的所述AlN層側的面而配置的AlGaN層的a軸面內晶格常數大，且比該基準AlGaN層原本具有的a軸平均晶格常數小。
2.根據權利要求1所述的氮化物半導體元件，其中所述緩沖層的主表面的面方位為c面。
3.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體元件，其中所述Si基板的所述主表面為(111)面。
4.根據權利要求3所述的氮化物半導體元件，其中所述GaN電子移動層的c軸晶格常數的應變度為-0.07％以上。
5.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體元件，其中所述GaN電子供給層的厚度為500nm～2000nm。
6.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體元件，其中所述AlN層的厚度為50nm～200nm。
7.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體元件，其中所述第一AlGaN層的厚度為100nm～500nm。
8.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體元件，其中所述第二AlGaN層的厚度為?100nm～500nm。
9.一種氮化物半導體封裝，其特征在于包含：
根據權利要求1至8中任一權利要求所述的氮化物半導體元件；及
樹脂封裝，以覆蓋所述氮化物半導體元件的方式形成。?
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