[實用新型]用于選擇性發射極太陽能電池的正銀柵線圖形有效
| 申請號: | 201120465403.5 | 申請日: | 2011-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN202473938U | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 崔鵬超;李華;李文;錢應五 | 申請(專利權)人: | 浙江正國太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 杭州金源通匯專利事務所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
| 地址: | 314500 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 選擇性 發射極 太陽能電池 正銀柵 線圖 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種發射極太陽能電池的柵線圖形,尤其是一種用于選擇性發射極太陽能電池的正銀柵線圖形。
背景技術
太陽能電池是一種能量轉換的光電元件,經由太陽輻射光照射后,把光的能量轉換成電能。其基本原理是利用P-N結的光生伏特效應將光能轉化成電能,由于太陽能環保、無污染,屬于可再生資源,已逐漸成為一種重要的發電方式,開發利用太陽能成為國際社會的一大主題和共同行動,成為各國制定可持續發展戰略的重要內容。
目前,在晶體硅太陽能電池行業競爭越來越激烈,都在追求高轉化效率,低成本戰略,選擇性發射極太陽能電池也成為一種非常實用的工藝技術。在晶硅太陽能電池工藝成本中,絲網印刷漿料的使用成本占了一大半的比例,在這部分成本中正電極銀漿的使用量又占75%的成本比例。因此要降低成本增效,正電極銀漿的使用量是一個重要的因素,就要對使用的正電極圖形進行重新改善設計。
選擇性發射極太陽能電池(Selective?Emitter?Solar?Cells),即在金屬柵線(電極)與硅片接觸的部位進行重摻雜,在電極之間的位置進行輕摻雜。這樣可以降低擴散層的復合,提高光線的短波響應,同時減少前金屬電極和硅片的接觸電阻,使得短路電流、開路電壓和填充因子得到較好的改善,從而提高轉換效率。工藝實施方法基本步驟是:(1)原始硅片進行酸制絨、清洗、烘干;(2)進行磷擴散工序;(3)對擴散面進行印刷腐蝕性磷漿、烘干,主要是降低非柵線區域的摻雜濃度,減少光電流的復合;(4)對磷漿進行堿超聲清洗、烘干;(5)刻蝕、清洗、烘干;(6)進行PECVD鍍SIN膜;(7)絲網印刷背電極、背電場、印刷正銀電極、燒結;(8)測試機測試、分檢。
現在選擇性發射極太陽能電池的正電極柵線都采用直線狀,為了達到降低成本,提升效率的目的,柵線的寬度和高度一直在變窄、變低。柵線的寬度進行變窄設計后,就會對印刷的質量產生一定的影響,相應的會對使用漿料的化學性質有所變化,使用的網版型號也會進行調整,網版的使用成本將會呈倍數遞增;隨著柵線寬度的變窄,為了不影響電池的整體電性能,就會增加柵線的條數,假如說下游組件商對柵線條數有限制條件的話,貿然的增加柵線數量就會對下游電池組件商造成很大的影響。
在上述情況下,既要不增加柵線的條數,又要達到降低成本,提升效率的目的,就需要在原柵線寬度不變的情況下,對現有柵線進行重新設計。設計就要充分考慮到實用性,可操作性的要求。
發明內容
本實用新型的目的是為了解決上述技術的不足而設計的一種可增加光的接受面積、提高短路電流、節約銀漿的用于選擇性發射極太陽能電池的正銀柵線圖形。
本實用新型所設計的用于選擇性發射極太陽能電池的正銀柵線圖形,包括柵線,所述柵線周邊設有內凹鋸齒。作為優選:
所述的內凹鋸齒狀為多邊形的一部分,均勻分布在柵線內側;每個內凹鋸齒間間隔不超過5mm;所述多邊形的邊長度為柵線寬度的20%-45%;
所述的內凹鋸齒,形狀為等邊三角形的一部份,鋸齒間間隔為0mm,遮光面積為總遮光面積的0.20%;所述三角形邊長為柵線寬度的45%;
所述柵線的寬度為70μm-100μm;
本實用新型所得的用于選擇性發射極太陽能電池的正銀柵線圖形,具有的優點是:
1、本圖形在柵線內采用內凹鋸齒狀設計,增加了光的接受面積,增加光生電流的產生,提高短路電流;
2、本圖形使用柵線內凹鋸齒狀后,維持了原柵線寬度不變的情況下,減少了銀漿料的使用耗量。
附圖說明
圖1是實施例1結構示意圖;
圖2是實施例1中柵線的放大圖;
圖中:柵線1、內凹鋸齒2。
具體實施方式
下面通過實施例結合附圖對本實用新型作進一步的描述。
實施例1:
如圖1所示,本實施例所描述的用于選擇性發射極太陽能電池的正銀柵線圖形,包括柵線1,所述柵線1周邊設有內凹鋸齒2,所述的內凹鋸齒2,形狀為等邊三角形的一部份,鋸齒間間隔為0mm。
作為本實施例的替代:
可以是遮光面積為總遮光面積的0.20%;所述三角形邊長為柵線1寬度的45%;
也可以是所述的內凹鋸齒2狀為多邊形的一部分,均勻分布在柵線1內側;每個內凹鋸齒2間間隔不超過5mm;所述多邊形的邊長度為柵線1寬度的20%-45%;
所述柵線1的寬度為70μm-100μm;
本實實施例具有的優點是:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





