[實(shí)用新型]紫藍(lán)硅光電二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120448164.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-05-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202395007U | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 崔峰敏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 傲迪特半導(dǎo)體（南京）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/105 | 分類號(hào)： | H01L31/105;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 江蘇致邦律師事務(wù)所 32230 | 代理人： | 樊文紅 |
| 地址： | 210034 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紫藍(lán) 光電二極管 | ||
1.紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，在高電阻率的N型區(qū)熔單晶片的正面周邊設(shè)有環(huán)狀N型Si層，環(huán)狀N型Si層內(nèi)側(cè)設(shè)有P型Si層，在環(huán)狀N型Si層和?P型Si層之間隔著環(huán)形高阻硅層，在P型Si層表面設(shè)有氮化硅膜，環(huán)形高阻硅層表面設(shè)有二氧化硅膜，P型Si層上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蝕掉，形成P型Si層裸露區(qū)，在P型Si層裸露區(qū)表面貼附有金屬AL作為陽(yáng)極,?硅片的背面積淀金屬Cr或Au膜陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，所述氮化硅膜的厚度為1,130~1,330?。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，所述N型Si層的厚度為4,200±400??。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，所述氮化硅膜的表面設(shè)置為凹凸?fàn)睢?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，所述金屬AL的厚度為1.8~2.2?。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，所述單晶片為方形，所述保護(hù)環(huán)的四角為圓弧形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫藍(lán)硅光電二極管，其特征是，所述高電阻率為1,000-4,000Ω㎝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
