[實用新型]用于光電探測的硅光電二極管有效

申請號：	201120447777.4	申請日：	2011-11-12
公開（公告）號：	CN202285244U	公開（公告）日：	2012-06-27
發明（設計）人：	崔峰敏	申請（專利權）人：	傲迪特半導體（南京）有限公司
主分類號：	H01L31/105	分類號：	H01L31/105
代理公司：	江蘇致邦律師事務所 32230	代理人：	樊文紅
地址：	210034 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于光電探測光電二極管
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【權利要求書】：

1.用于光電探測的硅光電二極管，其特征是，在高電阻率的P型區熔單晶片的正面周邊設有環狀P型Si層，環狀P型Si層內側設有N型Si層，在N型Si層和?P型Si層之間隔著環形高阻硅層，在N型Si層表面設有氮化硅膜，環形高阻硅層表面設有二氧化硅膜，N型Si層上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蝕掉，形成N型Si層裸露區，在N型Si層裸露區表面貼附有金屬AL作為陰極，單晶片的背面積淀金屬Cr或Au膜陽極。

2.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述二氧化硅膜的厚度為6,000±500?。

3.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述氮化硅膜的厚度為1,130~1,330?。

4.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述N型Si層的厚度為4,200±400??。

5.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述氮化硅膜的表面設置為凹凸狀。

6.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述金屬AL的厚度為1.8~2.2?。

7.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述單晶片為方形，所述環形高阻硅層的四角為圓弧形。

8.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述高電阻率為2000~8000Ω㎝。

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