[實用新型]磁控濺射系統

有效

• 申請號: 201120447404.7
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN202322998U
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 趙科新;佟輝;周景玉;劉麗華;張雪;戚暉
• 申請（專利權）人: 中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 白振宇

1.一種磁控濺射系統，其特征在于：包括磁控室(1)、基片轉臺、基片轉臺驅動電機、傳動機構、磁控靶(6)、機臺架(7)、真空抽氣系統及電動提升機構(14)，其中磁控室(1)安裝在機臺架(7)上、與位于機臺架(7)內的真空抽氣系統相連，在磁控室(1)內均布有多個安裝在磁控室(1)的下法蘭(15)上的磁控靶(6)；所述基片轉臺轉動安裝在磁控室(1)的上蓋(2)上，所載基片位于磁控室(1)內、各磁控靶(6)的上方，磁控室(1)的上蓋(2)上還安裝有基片轉臺驅動電機，所述基片轉臺通過傳動機構由基片轉臺驅動電機驅動旋轉；所述機臺架(7)內安裝有電動提升機構(14)，該電動提升機構(14)的輸出端由機臺架(7)穿出、與磁控室(1)的上蓋(2)相連接，帶動上蓋(2)及上蓋(2)上的基片轉臺和基片轉臺驅動電機升降。

2.按權利要求1所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述磁控靶(6)具有垂直基片轉臺或傾斜基片轉臺兩個工作位，每個磁控靶(6)上方均設有一個磁控靶擋板(8)，該磁控靶擋板(8)與安裝在機臺架(7)內部的第三電機(19)相連，通過第三電機(19)驅動開關磁控靶擋板(8)。

3.按權利要求1所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述每個磁控靶(6)的外圍均設有安裝在磁控室(1)的下法蘭(15)上的磁控靶屏蔽筒(13)。

4.按權利要求1所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述基片轉臺為基片水冷加熱公轉臺(3)，其一端載有基片、插入磁控室(1)內，另一端位于上蓋(2)的上方；所述上蓋(2)上安裝有第一電機(4)，該第一電機(4)通過同步帶和帶輪組件(12)與基片水冷加熱公轉臺(3)連接、帶動基片水冷加熱公轉臺(3)旋轉；所述磁控室(1)內轉動安裝有電動基片擋板(5)，該電動基片擋板(5)的一端位于基片水冷加熱公轉臺(3)載有基片的一端與各磁控靶(6)濺射端之間，電動基片擋板(5)的另一端與安裝在機臺架(7)內的第二電機(18)相連，通過第二電機(18)驅動旋轉。

5.按權利要求4所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述電動基片擋板(5)位于各磁控靶(6)的中間，各磁控靶(6)垂直于電動基片擋板(5)；該電動基片擋板(5)的一端為圓形擋板，上面開有露出被鍍基片的圓孔。

6.按權利要求4所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述基片水冷加熱公轉臺(3)的另一端設有與計算機控制系統電連接的圓光柵編碼器(16)。

7.按權利要求4所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述基片水冷加熱公轉臺(3)上具有六個工位，其中一或兩個工位上方設有加熱爐，其余工位通水冷卻。

8.按權利要求1所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述基片轉臺為單加熱自轉盤(24)，其一端載有基片、插入磁控室(1)內，另一端位于上蓋(2)的上方；所述上蓋(2)上安裝有第四電機(26)，該第四電機(26)驅動單加熱自轉盤(24)旋轉。

9.按權利要求8所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述單加熱自轉盤(24)具有一個加熱工位、處于單加熱自轉盤(24)的中間，各磁控靶(6)位于該單加熱自轉盤(24)加熱工位的周圍；在單加熱自轉盤(24)的加熱工位上載有基片，該基片下方設有手動基片擋板組件(25)。

10.按權利要求1所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述基片轉臺為單冷卻自轉盤(27)，其一端載有基片、插入磁控室(1)內，另一端位于上蓋(2)的上方；所述上蓋(2)上安裝有第一電機(4)，該第一電機(4)通過同步帶和帶輪組件(12)與基片水冷加熱公轉臺(3)連接、帶動基片水冷加熱公轉臺(3)旋轉。

11.按權利要求10所述的磁控濺射系統，其特征在于：所述單冷卻自轉盤(27)具有一個冷卻工位、處于單冷卻自轉盤(27)的中間，各磁控靶(6)位于該單冷卻自轉盤(24)冷卻工位的周圍；在單冷卻自轉盤(27)的冷卻工位上載有基片，該基片下方設有手動基片擋板組件(25)。