[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體直流光電變壓器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120444554.2 | 申請日: | 2011-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN202523745U | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭磊 | 申請(專利權(quán))人: | 郭磊 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 100084 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 直流 光電 變壓器 | ||
1.一種半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,包括:
第一電極層;
形成在所述第一電極層之上的電光轉(zhuǎn)換層;
形成在所述電光轉(zhuǎn)換層之上的第二電極層;
形成在所述第二電極層之上的第一隔離層;
形成在所述第一隔離層之上的第三電極層;
形成在所述第三電極層之上的光電轉(zhuǎn)換層;以及
形成在所述光電轉(zhuǎn)換層之上的第四電極層,其中,所述第一隔離層、所述第二電極層和所述第三電極層對所述電光轉(zhuǎn)換層發(fā)出的工作光線透明。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,還包括:
位于所述第一電極層和所述電光轉(zhuǎn)換層之間的第一反射層;以及
位于所述第四電極層和所述光電轉(zhuǎn)換層之間的第二反射層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述第一反射層和第二反射層為布拉格反射鏡或金屬全反射鏡。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述第一電極層和所述第四電極層為金屬電極。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述電光轉(zhuǎn)換層、所述第二電極層、所述第一隔離層、所述第三電極層和所述光電轉(zhuǎn)換層的材料折射系數(shù)梯次增加。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述電光轉(zhuǎn)換層、所述第二電極層、所述第一隔離層、所述第三電極層和所述光電轉(zhuǎn)換層的材料折射系數(shù)接近。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述電光轉(zhuǎn)換層、所述第二電極層、所述第一隔離層、所述第三電極層和所述光電轉(zhuǎn)換層中的至少一個具有粗糙化表面或光子晶體結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述第二電極層、所述第一隔離層和所述第三電極層材料的禁帶寬度大于所述電光轉(zhuǎn)換層發(fā)出的工作光線的光子能量。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述光電轉(zhuǎn)換層為LED結(jié)構(gòu)或激光器結(jié)構(gòu),其中,所述LED結(jié)構(gòu)包括諧振LED結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述電光轉(zhuǎn)換層和所述光電轉(zhuǎn)換層的能帶結(jié)構(gòu)相匹配以使所述電光轉(zhuǎn)換層發(fā)出的工作光線的波段與所述光電轉(zhuǎn)換層吸收效率最高的波段相匹配。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,所述電光轉(zhuǎn)換層和?/或所述光電轉(zhuǎn)換層為多層多結(jié)結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1-11任一項所述的半導(dǎo)體直流光電變壓器,其特征在于,還包括形成在所述第四電極層上的第二隔離層,以及形成在所述第二隔離層上的電光轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),所述電光轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括所述第一電極層、形成在所述第一電極層之上的所述電光轉(zhuǎn)換層、以及形成在所述電光轉(zhuǎn)換層之上的所述第二電極層。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





