[實用新型]一種TFT陣列基板及顯示器件

有效

• 申請號: 201120433230.9
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN202332850U
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 黃煒赟;玄明花;高永益
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種TFT陣列基板及顯示器件。

背景技術

在TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display)像素設計中，存儲電容是一個非常重要的電學參數，用于維持像素電壓和控制顯示畫面閃爍的作用。

該存儲電容的電容值C_st＝εs/4πkd，其中，ε表示電容兩電極之間的介電常數，k表示靜電力常數，d表示電容兩電極之間的距離。ε、k為常數，當電容兩電極之間的距離d也為常數時，為了增大存儲電容的電容值，則需增大電容兩電極之間的有效面積。

而增大電容兩電極的有效面積，則會使得像素電極的開口率減小，影響液晶面板的顯示效果。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種TFT陣列基板及顯示器件，可以在不減小像素電極的開口率的情況下，增大陣列基板上像素的存儲電容。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種應用于TN模式的TFT陣列基板，包括柵線；公共電極線；柵絕緣層；半導體有源層；數據線、源極、漏極；以及與所述漏極連接的像素電極；所述像素電極延伸至所述柵線上方；所述延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；所述公共電極線和所述像素電極構成第二存儲電容。

進一步地，所述公共電極線和所述柵線位于同一層，或者所述公共電極線和所述數據線位于同一層。

進一步地，所述公共電極線沿所述像素電極的邊緣設置。

一方面，提供一種顯示器件，包括上述的TFT陣列基板。

一方面，提供一種應用于平面電場模式的TFT陣列基板，包括柵線、柵極；柵絕緣層；半導體有源層；公共電極；保護層；數據線、源極、漏極；以及與所述漏極連接的像素電極；所述像素電極延伸至所述柵線上方；所述延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；所述像素電極和所述公共電極構成第二存儲電容。

進一步地，所述像素電極和/或所述公共電極為狹縫狀。

一方面，提供一種顯示器件，包括上述應用于平面電場模式的TFT陣列基板。

本實用新型實施例提供的TFT陣列基板及顯示器件，像素電極延伸至柵線上方，與柵線構成第一存儲電容，對于TN模式的TFT陣列基板，公共電極線和像素電極構成第二存儲電容；對于平面電場模式的TFT陣列基板，公共電極和像素電極構成第二存儲電容。使得無論哪種模式的TFT陣列基板的像素區域具有兩個存儲電容，這樣在不減小原有像素電極開口率的情況下，可以增大陣列基板上的像素電極存儲電容。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的TN模式的TFT陣列基板的結構示意圖；

圖2為圖1的A-A向的剖視圖；

圖3為圖1的B-B向的剖視圖；

圖4為本實用新型實施例提供的TN模式的TFT陣列基板的存儲電容等效電路圖；

圖5為本實用新型實施例提供的超級平面電場轉換模式的TFT陣列基板的結構示意圖；

圖6為圖5的A-A向的剖視圖；

圖7為圖5的B-B向的剖視圖；

圖8為本實用新型實施例提供的超級平面電場轉換模式的TFT陣列基板的存儲電容等效電路圖；

圖9為本實用新型實施例提供的高開口率平面電場模式的TFT陣列基板結構示意圖；

圖10為圖9沿C-C向的剖視圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

下面通過圖1-圖4對本實用新型實施例提供的應用于TN模式的TFT陣列基板進行具體說明，圖1為本實用新型提供的TFT陣列基板的結構示意圖，圖2、圖3分別為沿圖1的A-A、B-B向的剖視圖。