[實(shí)用新型]一種光譜微測輻射熱計(jì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120430892.0 | 申請日: | 2011-11-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202453088U | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李明燃;賴建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫萌涉?zhèn)鞲屑夹g(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01J5/20 | 分類號(hào): | G01J5/20;H01L31/09 |
| 代理公司: | 總裝工程兵科研一所專利服務(wù)中心 32002 | 代理人: | 郭豐海 |
| 地址: | 214174 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光譜 輻射熱 | ||
1.一種光譜微測輻射熱計(jì),包括硅襯底(11)、支撐膜(12)、第一金屬電接觸盤(14)和第金屬二電接觸盤(141),硅襯底(11)與支撐膜(12)間的四周相連且二者間有熱隔離空腔(10),與熱隔離空腔(10)相應(yīng)的支撐膜(12)外表面上有紅外吸收層(20),紅外吸收層(20)兩邊分別有第一薄膜電極(13)和第二薄膜電極(131),該第一薄膜電極(13)和第二薄膜電極(131)分別與第一金屬電接觸盤(14)和第二金屬電接觸盤(141)相連;其特征在于所述紅外吸收層(20)由底層導(dǎo)電層(21)、中間熱敏層(22)和頂層導(dǎo)電層(23)組成,所述底層導(dǎo)電層(21)和頂層導(dǎo)電層(23)分別與第二薄膜電極(131)和第一薄膜電極(13)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜微測輻射熱計(jì),其特征在于與支撐膜(12)相鄰的硅襯底(11)一面中間有凹坑,以便在凹坑與支撐膜(12)間形成熱隔離空腔(10)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜微測輻射熱計(jì),其特征在于所述支撐膜(12)為罩形支撐膜,以便在罩形支撐膜與硅襯底(11)間形成熱隔離空腔(10);第一金屬電接觸盤(14)和第二金屬電接觸盤(141)分別連接在支撐膜(12)與硅襯底(11)的不同側(cè)的邊沿之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜微測輻射熱計(jì),其特征在于底層導(dǎo)電層(21)為摻錫氧化銦薄膜、高摻雜硅薄膜和氮化鈦薄膜中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜微測輻射熱計(jì),其特征在于頂層導(dǎo)電層(23)為摻錫氧化銦薄膜、高摻雜硅薄膜和氮化鈦薄膜中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜微測輻射熱計(jì),其特征在于底層導(dǎo)電層(21)為摻錫氧化銦,該摻錫氧化銦的電阻率為120μΩcm,厚度為150nm;中間熱敏層(22)為氧化釩,該氧化釩的電阻率為31μΩcm,厚度為700nm;頂層導(dǎo)電層(23)為摻錫氧化銦,該摻錫氧化銦的電阻率為800μΩcm,厚度為25nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜微測輻射熱計(jì),其特征在于底層導(dǎo)電層(21)為金膜,該金膜的電阻率為10μΩcm,厚度為100nm;中間熱敏層(22)為氧化釩,該氧化釩的電阻率為31μΩcm,厚度為700nm;頂層導(dǎo)電層(23)為金膜,該金膜的電阻率為10μΩcm,厚度為5nm。
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