[實用新型]一種光譜微測輻射熱計

有效

• 申請號: 201120430892.0
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN202453088U
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 李明燃;賴建軍
• 申請（專利權）人: 無錫萌涉傳感技術有限公司
• 主分類號: G01J5/20
• 分類號: G01J5/20;H01L31/09
• 代理公司: 總裝工程兵科研一所專利服務中心 32002
• 代理人: 郭豐海

1.一種光譜微測輻射熱計，包括硅襯底（11）、支撐膜（12）、第一金屬電接觸盤（14）和第金屬二電接觸盤（141），硅襯底（11）與支撐膜（12）間的四周相連且二者間有熱隔離空腔（10），與熱隔離空腔（10）相應的支撐膜（12）外表面上有紅外吸收層（20），紅外吸收層（20）兩邊分別有第一薄膜電極（13）和第二薄膜電極（131），該第一薄膜電極（13）和第二薄膜電極（131）分別與第一金屬電接觸盤（14）和第二金屬電接觸盤（141）相連；其特征在于所述紅外吸收層（20）由底層導電層（21）、中間熱敏層（22）和頂層導電層（23）組成，所述底層導電層（21）和頂層導電層（23）分別與第二薄膜電極（131）和第一薄膜電極（13）相連。

2.根據權利要求1所述的光譜微測輻射熱計，其特征在于與支撐膜（12）相鄰的硅襯底（11）一面中間有凹坑，以便在凹坑與支撐膜（12）間形成熱隔離空腔（10）。

3.根據權利要求1所述的光譜微測輻射熱計，其特征在于所述支撐膜（12）為罩形支撐膜，以便在罩形支撐膜與硅襯底（11）間形成熱隔離空腔（10）；第一金屬電接觸盤（14）和第二金屬電接觸盤（141）分別連接在支撐膜（12）與硅襯底（11）的不同側的邊沿之間。

4.根據權利要求1所述的光譜微測輻射熱計，其特征在于底層導電層（21）為摻錫氧化銦薄膜、高摻雜硅薄膜和氮化鈦薄膜中的任意一種。

5.根據權利要求1所述的光譜微測輻射熱計，其特征在于頂層導電層（23）為摻錫氧化銦薄膜、高摻雜硅薄膜和氮化鈦薄膜中的任意一種。

6.根據權利要求1所述的光譜微測輻射熱計，其特征在于底層導電層（21）為摻錫氧化銦，該摻錫氧化銦的電阻率為120μΩcm，厚度為150nm；中間熱敏層（22）為氧化釩，該氧化釩的電阻率為31μΩcm，厚度為700nm；頂層導電層（23）為摻錫氧化銦，該摻錫氧化銦的電阻率為800μΩcm，厚度為25nm。

7.根據權利要求1所述的光譜微測輻射熱計，其特征在于底層導電層（21）為金膜，該金膜的電阻率為10μΩcm，厚度為100nm；中間熱敏層（22）為氧化釩，該氧化釩的電阻率為31μΩcm，厚度為700nm；頂層導電層（23）為金膜，該金膜的電阻率為10μΩcm，厚度為5nm。