[實(shí)用新型]耐高過載高靈敏度平面電極結(jié)構(gòu)熱釋電探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120420309.8 | 申請(qǐng)日： | 2011-10-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202281652U | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 太云見;袁俊;信思樹;龔曉霞;何雯瑾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分類號(hào)： | G01J5/10 | 分類號(hào)： | G01J5/10;G01J5/02 |
| 代理公司： | 昆明今威專利商標(biāo)代理有限公司 53115 | 代理人： | 賽曉剛 |
| 地址： | 650223 云*** | 國(guó)省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 過載 靈敏度 平面 電極 結(jié)構(gòu) 熱釋電 探測(cè)器 | ||
1.耐高過載高靈敏度平面電極結(jié)構(gòu)熱釋電探測(cè)器，其特征在于：在熱釋電晶片(2)的下表面上制備一層全反射電極(1)，在全反射電極的下表面上制備一層絕熱層(7)，絕熱層的下表面與襯底(5)用粘接膠(6)粘接；在熱釋電晶片的上表面的中心位置制備紅外吸收層(3)，從紅外吸收層引出金絲引線(4)；在熱釋電晶片的上表面、紅外吸收層的周圍制備一層引出電極(9)，引出電極與紅外吸收層之間不相連接，引出電極引出金絲引線。
2.按照權(quán)利要求1所述的熱釋電探測(cè)器，其特征在于：紅外吸收層(3)是半透明電極(3a)與二氧化硅膜(3b)構(gòu)成的兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)，從紅外吸收層的半透明電極引出金絲引線(4)。
3.按照權(quán)利要求1所述的熱釋電探測(cè)器，其特征在于：熱釋電晶片(2)的厚度為10微米左右；全反射電極(1)采用鎳鉻材料或者采用鉻金金屬膜，厚度在2000A以上；絕熱層(7)采用多孔二氧化硅材料或者采用環(huán)氧型有機(jī)薄膜，厚度為2微米左右；襯底(5)采用玻璃、硅、藍(lán)寶石或者陶瓷材料；絕熱層與襯底的粘接膠(6)用光學(xué)膠。
4.按照權(quán)利要求1或2所述的熱釋電探測(cè)器，其特征在于：在半透明電極(3a)的上表面上制備的二氧化硅膜(3b)的厚度為1.5微米左右；引出電極(9)為鉻金電極，厚度在5000A以上。
5.按照權(quán)利要求1或2所述的熱釋電探測(cè)器，其特征在于：紅外吸收層(3)是半透明電極(3a)與有機(jī)薄膜構(gòu)成的兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)，從半透明電極引出金絲引線(4)。
6.按照權(quán)利要求1所述的熱釋電探測(cè)器，其特征在于：紅外吸收層(3)是吸收層全反射電極(3d)、介質(zhì)層(3c)和半透明電極(3a)構(gòu)成的三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，從吸收層全反射電極引出金絲引線(4)。?
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