[實用新型]發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201120419989.1
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN202332967U
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 林朝暉;王樹林
• 申請（專利權）人: 泉州市博泰半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及半導體照明器件技術領域，具體涉及一種發光二極管(LED)的封裝結構。

背景技術

隨著能源消耗的不斷增加，用于發電的煤炭的大量使用所導致的二氧化碳排放嚴重地污染生態環境。因此，尋求低碳排放節約用電的生活方式變得越來越緊迫。當前，人們對發光二極管(LED)的開發和利用日趨重視。LED以其低成本、高亮度、節能環保等特性已逐步取代傳統燈具成為節能燈具的新趨勢和新熱點。

半導體發光二極管簡稱為LED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二極管，當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。發光二極管(LED)作為光源以其功耗低、壽命長、可靠性高等特點，在日常生活中的許多領域得到了普遍的認可，在電子產品中得到廣泛應用，例如顯示器背光等。

以基于寬禁帶半導體材料氮化稼(GaN)和銦氮化稼(InGaN)的發光二極管為代表的近紫外線、藍綠色和藍色等短波長發光二極管在1990年代后期得到廣泛應用，在基礎研究和商業應用上取得了很大進步。目前普遍應用的GaN基發光二極管包括藍寶石襯底，n型GaN層和p型GaN層，以及兩者中間由p型摻雜的AlGaN層、發光層InGaN和n型摻雜的AlGaN層組成的發光單元，此外包括透明導電接觸(TCO)層，p型電極和n型電極。

圖1和圖2為典型的LED發光二極管結構示意圖。如圖1和圖2所示，LED發光二極管具有引腳10和20，發光芯片30位于其中一個引腳(例如引腳20)的頂部。發光芯片30的一個電極電連接于引腳20，另一個電極通過金屬引線60連接于引腳10。在外圍是用于封裝LED芯片30的透明環氧樹脂或硅膠封裝體40。此外還包括用于反射和聚光的反射帽50。

LED的散熱問題越來越受到人們的重視，這是因為LED的光衰或其壽命直接與其結溫有關，散熱不好、結溫越高，壽命越短，也直接影響發光效率。上述這種封裝形式由于沒有提供良好的散熱途徑，發光二極管的PN結的結溫散熱是一個亟待解決的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種發光二極管的封裝結構，能夠更好解地決散熱問題、提高發光效率，并降低成本。

本實用新型提供的發光二極管封裝結構，包括第一引腳和第二引腳，所述發光二極管包括至少一個發光芯片，且位于所述第一引腳的至少一個側面，所述發光芯片的一個電極通過金屬引線與所述第一引腳連接，所述發光芯片的另一個電極通過金屬引線與所述第二引腳連接。

可選的，所述第一引腳為其兩個側面寬度遠大于另外兩個側面寬度的條形片狀。

可選的，所述發光芯片的數量為大于兩個的復數個。

可選的，所述發光芯片的連接方式為串聯或并聯。

可選的，所述發光芯片位于所述第一引腳的同一個側面。

可選的，所述發光芯片位于所述第一引腳的兩個相對的側面。

可選的，所述發光芯片背靠背放置。

可選的，所述發光芯片位于所述第一引腳的同一個側面。

可選的，所述第一引腳的下部的寬度小于上部的寬度。

附圖說明

通過附圖中所示的本實用新型的優選實施例的更具體說明，本實用新型的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本實用新型的主旨。

圖1和圖2為現有技術中發光二極管的典型結構示意圖；

圖3至圖8為根據本實用新型實施例的發光二極管芯片布置狀態示意圖；

圖9和圖10為根據本實用新型實施例的發光二極管封裝結構示意圖。

所述示圖是說明性的，而非限制性的，在此不能過度限制本實用新型的保護范圍。

具體實施方式

為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似推廣。因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。