[實用新型]晶體硅太陽能電池正面電極布局結構有效
| 申請號: | 201120417363.7 | 申請日: | 2011-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN202373594U | 公開(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發明(設計)人: | 賈平 | 申請(專利權)人: | 上海索日新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 馬家駿 |
| 地址: | 201501 上海市金*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 太陽能電池 正面 電極 布局 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種關于絲網印刷晶體硅太陽能電池的正面電極布局結構。?
背景技術
要收集太陽能電池產生的電流,金屬正電極是必須的。主柵線和外部導線直接相連,而副柵線是更細小的金屬化區域,用來收集電流傳輸給主柵線。?
晶體硅太陽能電池的正面電極布局結構的設計理念:提高電流的收集效率、低金屬柵線電阻、低接觸電阻、低遮光面積。?
正面電極工藝要求:盡可能大的高寬比,目的是減小遮光面積,增大柵線橫截面,這樣可以減少柵線遮光造成的電池功率損失,同時較大柵線橫截面可以降低柵線的體電阻從而降低柵線電阻引起的功率損失。?
目前,市場上主要有125S-165和156S-200兩種單晶電池片,分別采用2主柵(尖柵)-54副柵和3主柵(尖柵)-77副柵兩種設計,此種應用獲得了行業內領先的轉化率。?
同時我們注意到,在歐洲各國相繼降低光伏補貼的大背景下,最大限度的降低成本成為企業提高競爭力的重要舉措。因此在正面電極的設計上,在保證轉化率同時,應盡量減少銀漿的單耗,目前125S和156S的單耗分別在0.11g、0.19g,還有降低的空間。?
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種晶體硅太陽能電池正面電極布?局結構,以減少銀漿的單耗。?
為了實現上述目的,本實用新型的技術方案如下:?
晶體硅太陽能電池正面電極布局結構,包括主柵和副柵,其特征在于,所述主柵上沿長度方向間隔設置有若干個鏤空空間,所述若干個鏤空空間將主柵分隔開來。?
在本實用新型的一個優選實施例中,所述主柵分段上設置有未印刷有銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈結構封閉式。?
在本實用新型的一個優選實施例中,所述副柵的邊緣加設半框,可增加電流的收集,減少接觸電阻。?
本實用新型通過在主柵上設置有鏤空空間,可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區域和焊帶彌補。?
本實用新型在保證轉化率同時,減少銀漿的單耗。?
本實用新型的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。?
附圖說明
圖1為實施例1的示意圖。?
圖2為實施例2的示意圖。?
具體實施方式
為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施例進一步闡述本實用新型。?
實施例1?
如圖1所示,一種125S-165的晶體硅太陽能電池,包括主柵100和副柵200,主柵100上沿長度方向間隔設置有四個鏤空空間110,四個鏤空空間將主柵分隔成五個主柵分段120。該結構可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區域和焊帶彌補。?
在主柵分段120上制作未印刷銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈封閉式。可節約銀漿使用量,還可有效消除銀硅合金和硅的膨脹系數不同而帶來的應力,從而降低電池片的彎曲以及組件焊接碎片率;能夠增強主柵線導電漿料燒結后在硅片表面的附著牢固性,有效解決銀主柵線的脫落問題;減小導電漿料和硅的表面的接觸面積,增大開路電壓和短路電流;同時可彌補由于鏤空空間結構增加接觸電阻帶來的效率損失。?
在本實施例中,副柵200數量從原有的54根變成61根,以增加電流的收集,減少接觸電阻。?
副柵200的邊緣加設半框210,可增加電流的收集,減少接觸電阻。?
實施例2?
一種156S-200的晶體硅太陽能電池,包括主柵和副柵,主柵上沿長度方向間隔設置有六個鏤空空間310,六個鏤空空間將主柵分隔成七個主柵分段410。該結構可明顯降低主柵銀漿使用量,雖然同時會增加接觸電阻,但是可以通過實心區域和焊帶彌補。?
在主柵分段410上制作未印刷銀漿的陣列點,每個陣列點的圖形呈封閉式。可節約銀漿使用量,還可有效消除銀硅合金和硅的膨脹系數不同而帶來的應力,從而降低電池片的彎曲以及組件焊接碎片率;能夠增強主柵線導電漿料燒結后在硅片表面的附著牢固性,有效解決銀主柵線的脫落問題;減小導電漿料和硅的表面的接觸面積,增大開路電壓和短路電流;同時可彌補由于鏤空空間結構增加接觸電阻帶來的效率損失。?
以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型的范圍內。本實用新型要求的保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





