[實用新型]一種測試集成電路的單光子探測裝置

有效

• 申請號: 201120407743.2
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN202275141U
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 潘中良;陳翎;吳培亨
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: G01R31/308
• 分類號: G01R31/308
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 裘暉

1.一種測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于包括用于對單光子探測器供電的高壓電源、單光子探測器、放大器、用于減少暗電流及其干擾的鑒別器、控制單元、用于采集光子數目的計數單元和顯示單元；其中，用于對單光子探測器供電的高壓電源、單光子探測器、放大器、用于減少暗電流及其干擾的鑒別器和用于采集光子數目的計數單元依次連接；控制單元分別與用于對單光子探測器供電的高壓電源、單光子探測器、用于采集光子數目的計數單元和顯示單元連接；控制單元控制對單光子探測器供電的高壓電源的啟動和關閉，控制單元控制單光子探測器的工作模式，用于采集光子數目的計數單元采集到的數據輸入到控制單元中，經過控制單元處理，結果輸出至顯示單元，進行顯示。

2.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的用于對單光子探測器供電的高壓電源為360～2000V，紋波系數小于0.02的高壓電源。

3.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的單光子探測器為光電倍增管。

4.根據權利要求3所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的光電倍增管為10級倍增、光譜響應為200～900nm以及暗計數率小于0.01的光電倍增管。

5.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的放大器為頻率帶寬120MHz以上，能將電壓信號放大10倍的放大器。

6.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的鑒別器由窗口比較電路構成。

7.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的控制單元為裝載有集成電路測試程序的單片機。

8.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的計數單元由CPLD芯片及其外圍電路組成。

9.根據權利要求8所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的CPLD芯片為型號是EPM7128SLC84的CPLD芯片。

10.根據權利要求1所述的測試集成電路的單光子探測裝置，其特征在于：所述的顯示單元由LCD顯示屏及其控制電路所組成。