[實用新型]氧化鋅薄膜沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120400506.3
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN202359197U
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李一成;趙函一;許國青
• 申請（專利權(quán)）人: 理想能源設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，包含：沉積腔（21），在所述沉積腔（21）內(nèi)設(shè)置的噴淋頭（22）和基板支承座（23）；所述噴淋頭（22）設(shè)置在所述沉積腔（21）的頂部，并與所述沉積腔（21）的頂板之間形成有氣體混合區(qū)（25）；所述基板支承座（23）設(shè)置在所述沉積腔（21）的底部，其包含加熱單元，所述加熱單元用于將基板（24）的溫度加熱到大于160°C小于等于200°C；所述基板支承座（23）與所述噴淋頭（22）之間形成反應區(qū)（26），所述基板支承座（23）與所述噴淋頭（22）面向所述基板支承座（23）的底面之間的距離大于等于80mm小于等于110mm；節(jié)流閥，用于控制流入所述氣體混合區(qū)（25）的反應氣體流量大于等于4200sccm小于等于7000sccm；排氣裝置，用于從所述反應區(qū)（26）抽出氣體，以控制所述反應區(qū)（26）的氣壓大于等于0.3mbar小于等于0.8mbar；

其特征在于，所述噴淋頭上設(shè)置有若干氣體分配孔（221），所述若干氣體分配孔（221）使得所述氣體混合區(qū)（25）的氣壓大于等于0.9mbar小于等于1.3mbar。

2.如權(quán)利要求1所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述氣體分配孔（221）的數(shù)量為大于等于1600個小于等于2200個，每一個氣體分配孔（221）孔徑最小部分的孔徑大于等于1.0mm小于等于2.0mm。

3.如權(quán)利要求1或2所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述氣體分配孔（221）包含：從噴淋頭（22）背離所述基板支承座（23）的頂面向下延伸一定距離形成的上端孔（222）；從噴淋頭（22）面向所述基板支承座（23）的底面向上延伸一定距離形成的下端孔（223），以及，所述上端孔（222）和下端孔（223）之間過渡連接的斜面（224）；其中所述上端孔（222）的孔徑（D1）大于所述下端孔（223）的孔徑（D2）。

4.如權(quán)利要求3所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述下端孔（223）的寬高比為大于等于1/4小于等于2/3。

5.如權(quán)利要求3所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述上端孔（222）的孔徑（D1）為大于等于1.5mm小于等于4mm。

6.如權(quán)利要求3所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述氣體分配孔（221）中斜面（224）的母線相對所述噴淋頭（22）底面的夾角（a）大于等于35度小于等于65度。

7.如權(quán)利要求1所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述基板支承座（23）與所述噴淋頭（22）面向所述基板支承座（23）的底面之間的距離大于等于90mm小于等于100mm。

8.如權(quán)利要求7所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述基板支承座（23）與所述噴淋頭（22）面向所述基板支承座（23）的底面之間的距離為96mm。

9.如權(quán)利要求1所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述噴淋頭（22）包含一個冷卻裝置，所述冷卻裝置使得該噴淋頭（22）的溫度低于60°C。

10.如權(quán)利要求1所述氧化鋅薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述加熱單元用于將基板（24）的溫度加熱到大于175°C小于等于185°C。