[實用新型]大功率倒裝陣列LED芯片

有效

• 申請號: 201120399059.4
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN202332853U
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 鄧朝勇;楊利忠;李緒誠;張榮芬;許鋮
• 申請（專利權）人: 貴州大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/64
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 吳無懼

1.一種大功率倒裝陣列LED芯片，包括襯底、n型半導體層、有源層、p型半導體層、電極層、絕緣層、外接金屬層和鈍化層，其特征在于：陣列LED芯片是由多個陣列單元構成陣列，其中相鄰陣列單元都共用一個n型半導體層（6）；所述陣列單元是藍寶石襯底（2）上方依次覆蓋n型緩沖層（3）、n型半導體層（6）、有源層（7）、p型半導體層（8）、透明電極層（9）、p電極層（10）；相鄰兩個陣列單元之間是n電極（5）；并且n電極（5）和p電極層（10）由絕緣層（4）包覆；在絕緣層（4）包覆的p電極層（10）窗口上方覆蓋外接金屬散熱層（11），在外接金屬散熱層（11）表面還有鈍化層（12）。

2.根據權利要求1所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：藍寶石襯底（2）的出光面處理為粗超化表面（1）。

3.根據權利要求1所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：倒裝LED芯片的n型半導體層（6）和p型半導體層（8）是由GaN、GaAs或AlGaN半導體材料構成；其中n型層摻入的雜質是Si材料，p型層摻入的雜質是Mg材料。

4.根據權利要求1所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：倒裝陣列LED芯片的有源層（7）是單層的InGaN，或者是多層的InGaN層和GaN層，形成多量子阱層。

5.根據權利要求1、2或3所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：所有芯片陣列單元的n型半導體層（6）是連通的，并且相鄰兩個陣列單元共用位于其間的n電極（5）。

6.根據權利要求1、2或3所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：?p電極層（10）采用金屬Ag或Al，并且完全覆蓋每一個陣列單元的透明電極層（9）。

7.根據權利要求1所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：絕緣層（4）和鈍化層（12）由SiOx、SiNx或SiOxNy絕緣材料構成。

8.根據權利要求1所述的大功率倒裝陣列LED芯片，其特征在于：透明電極層（9）采用金屬薄膜Ni/Au或氧化銦錫制作。