[實(shí)用新型]電阻式真空高溫爐水冷電極防護(hù)屏有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120389940.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202595346U | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉世全;徐家慶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 劉世全 |
| 主分類號(hào): | C30B35/00 | 分類號(hào): | C30B35/00;C30B29/06;C30B29/20 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518108 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電阻 真空 高溫 水冷 電極 防護(hù) | ||
所屬技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及熔體籽晶法單晶生長(zhǎng)設(shè)備,尤其涉及一種電阻式真空高溫爐水冷電極防護(hù)屏。?
背景技術(shù)
隨著太陽(yáng)能的利用以及LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了單晶硅及藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)爐的大量需求,目前的單晶爐大部份以真空環(huán)境、低壓大電流大功率、高溫為特征,其中構(gòu)成晶體爐的關(guān)鍵部件——電極,但是電極均為內(nèi)置水冷式,并且會(huì)直接受到發(fā)熱元件的輻射,是高溫?zé)釗p的主要原因之一。如何隔離這種輻射,大大提高高溫爐熱效率,將是目前急需解決的主要問(wèn)題。?
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型提供一種電阻式真空高溫爐水冷電極防護(hù)屏,采用難熔金屬片做成防護(hù)屏組,安裝在水冷電極迎向熱輻射源的一面,使熱輻射不能直接照射到水冷電極上,從而使電極處于較低溫度,避免熱能通過(guò)冷卻水帶走,提高高溫爐熱效率。?
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:在水冷電極下方安裝若干層難熔金屬片疊合構(gòu)成的隔熱防護(hù)屏,使?fàn)t內(nèi)高溫?zé)彷椛湔丈涞皆摻M屏片,而不能直接輻射到電極上。?
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述隔熱防護(hù)屏的難熔金屬片層數(shù)可以是一層或者多層。?
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述難熔金屬片材質(zhì)可以是鎢或者鉬。?
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述隔環(huán)的結(jié)構(gòu)形狀可以是短管、卷片、?波紋板、絲環(huán)。?
本實(shí)用新型產(chǎn)生的有益效果是,避免熱能通過(guò)直接輻射方式照射在水冷電極上,從而使其表面處于較低的溫度環(huán)境,皮面局部熱熔,避免過(guò)多熱能被冷卻水帶走,提高高溫爐熱效率,能大量用于藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)爐或單晶硅爐。?
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖和該實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。?
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的平面圖。?
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的側(cè)視圖。?
附圖標(biāo)記說(shuō)明:1.隔熱屏片,2.側(cè)屏,3.隔環(huán)。?
具體實(shí)施方式
在圖實(shí)施例中,一種電阻式真空高溫爐水冷電極防護(hù)屏,防護(hù)屏主要有隔熱屏片(1)、側(cè)屏(2)、隔環(huán)(3)組成。將難熔金屬片按水冷電極受輻射面的形狀制成若干隔熱屏片(1),再將若干隔熱屏片(1)疊合起來(lái)且在隔熱屏片之間以同種材質(zhì)的隔環(huán)(3)隔離,然后通過(guò)螺栓將多層隔熱屏片(1)緊固為一體,再在緊固為一體的多層隔熱屏片的外圍通過(guò)螺栓固定兩片同種金屬材質(zhì)且圓弧形狀的側(cè)屏(2),即組成防護(hù)屏,并將其安裝于水冷電極下方形成熱輻射防護(hù)屏,從而隔離來(lái)自發(fā)熱體的輻射。?
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