[實用新型]無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構有效
| 申請號: | 201120371211.8 | 申請日: | 2011-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN202231014U | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發明(設計)人: | 張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝;段珍珍 | 申請(專利權)人: | 江陰長電先進封裝有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無硅通孔高 可靠性 圖像傳感器 封裝 結構 | ||
1.一種無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構,包括已經設置有芯片內部鈍化層(2)、芯片內部金屬層(3)及感光區(4)的芯片本體(1),其特征在于:在芯片本體(1)的上表面設置隔離層(5),隔離層(5)不覆蓋或者覆蓋于芯片感光區(4);在隔離層(5)上設置透光蓋板(6),在隔離層(5)不覆蓋于芯片感光區(4)時,透光蓋板6、隔離層5及芯片本體1之間形成空腔7;在芯片本體(1)上形成硅溝槽(8),且硅溝槽(8)底部直接停止于芯片內部鈍化層(2)的下表面,使芯片內部鈍化層(2)下表面裸露出來;在芯片本體(1)下表面、硅溝槽(8)側壁及裸露出的芯片內部鈍化層(2)的下表面選擇性的設置絕緣層(9);在芯片內部鈍化層(2)上形成盲孔(10),且盲孔(10)停止于芯片內部金屬層(3)表面;在絕緣層(9)表面及盲孔(10)內選擇性的形成金屬線路層(11);在絕緣層(9)及金屬線路層(11)上選擇性的設置線路保護層(12);在金屬線路層(11)露出線路保護層(12)的地方設置焊球(13)。
2.根據權利要求1所述的一種無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構,其特征在于:所述絕緣層(9)在需要互聯處的預留開口。
3.根據權利要求2所述的一種無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構,其特征在于:所述互聯處的預留開口與盲孔(10)重合。
4.根據權利要求2所述的一種無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構,其特征在于:所述互聯處的預留開口尺寸大于盲孔(10)尺寸。
5.根據權利要求1或2或3或4所述的一種無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構,其特征在于:所述隔離層(5)覆蓋感光區(4)時,隔離層(5)選用透光材料。
6.根據權利要求1或2或3或4所述的一種無硅通孔高可靠性圖像傳感器封裝結構,其特征在于:所述芯片內部鈍化層(2)及芯片內部金屬層(3)是多層,該封裝結構中盲孔(10)形成于第一層芯片內部鈍化層、并停止于與第一芯片內部鈍化層相鄰的芯片內部金屬層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





