[實(shí)用新型]放大電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120363545.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202364177U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林鴻武 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03F1/26 | 分類(lèi)號(hào): | H03F1/26 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放大 電路 | ||
1.一種電路,包括:
第一電路模塊,其具有第一輸入節(jié)點(diǎn)、第二輸入節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn),其中所述第一電路模塊配置成在所述第一輸入節(jié)點(diǎn)接收輸入信號(hào)并且在所述輸出節(jié)點(diǎn)生成放大信號(hào);以及
第二電路模塊,其耦接于參考電位線(xiàn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間,配置成響應(yīng)于第一控制信號(hào)從所述輸出節(jié)點(diǎn)吸收電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于,所述第二電路模塊包括第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一MOS晶體管,所述第一MOS晶體管的柵極配置成接收所述第一控制信號(hào),所述第一MOS晶體管的體二極管反向耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)和所述參考電位線(xiàn)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路,其特征在于,所述第二電路模塊還包括第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二MOS晶體管,其與所述第一MOS晶體管串聯(lián),所述第二MOS晶體管的柵極配置成接收所述第一控制信號(hào)的反相信號(hào),以及其中所述第二MOS晶體管的體二極管與所述第一MOS晶體管的所述體二極管對(duì)接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于,所述第一電路模塊還包括耦接于所述第一輸入節(jié)點(diǎn)和所述第二輸入節(jié)點(diǎn)之間的開(kāi)關(guān),以及其中所述開(kāi)關(guān)配置成響應(yīng)于第二控制信號(hào)而運(yùn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路,其特征在于,所述第二控制信號(hào)與所述第一控制信號(hào)的邏輯態(tài)相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路,其特征在于,所述開(kāi)關(guān)包括第三MOS晶體管,所述第三MOS晶體管的體二極管反向耦接于所述第一輸入節(jié)點(diǎn)和所述第二輸入節(jié)點(diǎn)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電路,其特征在于,還包括:
控制器;以及
耦接器,其配置成響應(yīng)于所述控制器的輸出而將所述第一電路模塊的所述輸出節(jié)點(diǎn)耦接至所述參考電位線(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路,其特征在于,所述控制器配置成生成互補(bǔ)的第一偏置電流和第二偏置電流,以及其中,所述第一電路模塊包括第一放大器,所述第一放大器的輸入偏置電流是所述第一偏置電流的鏡像電流,所述耦接器包括第二放大器,所述第二放大器的輸入偏置電流是所述第二偏置電流的鏡像電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路,其特征在于,所述控制器包括:
電流源,其配置成提供恒定電流;
第四MOS晶體管,與所述電流源耦接,具有柵、源和漏,由可變電壓偏置以傳導(dǎo)所述第一偏置電流;以及
第五MOS晶體管,與所述電流源耦接,具有柵、源和漏,由固定電壓偏置以傳導(dǎo)所述第二偏置電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路,其特征在于,所述可變電壓包括耦接于所述第四晶體管的柵和所述參考電位線(xiàn)之間的RC網(wǎng)絡(luò)的輸出。
11.一種放大電路,包括如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的電路。
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