[實用新型]一種基于保護可控硅的剩余電流信號測量電路

有效

• 申請號: 201120352566.2
• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN202210115U
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 嚴睿;陳志偉;徐劍
• 申請（專利權）人: 浙江德力西電器股份有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 溫州甌越專利代理有限公司 33211
• 代理人: 傅敏華

1.一種基于保護可控硅的剩余電流信號測量電路，包括輸入端的信號調節電阻Rt、限幅保護二極管D1、信號衰減電阻R3、可控硅SCR，其特征在于：還包括信號端的電容C1、電容C2、電容C3、電阻R1、電阻R2組成的π型濾波回路和電源端電阻R4、電容C4組成的阻容吸收保護回路，其中輸入信號經調節電阻Rt、限幅保護二極管D1，π型濾波回路后進入到可控硅SCR的門極腳3，電源端電阻R4、電容C4組成的阻容吸收保護回路直接并接在可控硅SCR的陰極腳1和陽極腳2間。

2.根據權利要求1所述的一種基于保護可控硅的剩余電流信號測量電路，其特征在于：所述的信號調節電阻Rt是固定電阻或可變電阻。

3.根據權利要求1或2所述的一種基于保護可控硅的剩余電流信號測量電路，其特征在于：所述的限幅保護二極管D1為穩壓二極管，所述的電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4是固定電阻或可變電阻，所述的電容C1、電容C2、電容C3是無極性電容，所述的電容C4是無極性CBB21或CBB22高壓電容。