[實用新型]一種提高光透過率的TCO玻璃的結構有效
| 申請號: | 201120351362.7 | 申請日: | 2011-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN202210523U | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 鄭仁毅;高娟;陳啟聰;邢麗芬;戴溥男 | 申請(專利權)人: | 東旭集團有限公司;成都泰軼斯太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236 |
| 代理公司: | 深圳市智科友專利商標事務所 44241 | 代理人: | 曲家彬 |
| 地址: | 050021 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 透過 tco 玻璃 結構 | ||
技術領域
本實用新型屬于太陽能電池制備技術領域,涉及一種新型的TCO玻璃,該TCO玻璃是由一個表面帶圓形凸紋的玻璃基板和透明導電膜層組成,透明導電膜層位于基板玻璃的有凸紋側。
背景技術
目前,由于世界可利用能源如煤炭、石油等的勘探量大幅度減少,如何找到可利用的新能源已經成為世界關注的課題,而太陽能作為一種新型的能源,無污染并且取之不竭,用之不盡成為了目前最為關注的熱點能源。太陽能發電具有很多的優點,如安全可靠,建設周期短,維護簡便,可以無人值守等,公開的太陽能光電轉換是依靠的太陽能電池組件的電池片。由于非晶硅比晶硅能吸收更多的光強,故非晶硅電池組件成為目前研究的熱點。TCO透明導電薄膜由于具有良好的導電性和高的可見光透過率,被廣泛的應用在非晶硅電池薄膜領域。
雖然TCO透明導電薄膜具有良好的導電性和高的可見光透過率,但還是有一部分光被玻璃吸收或者反射,為了提高光的透過增加電池的光電轉換效率,我們可以通過增加光透過玻璃的光程來達到減少光線反射的目的。
發明內容
本實用新型的目的是為了提高TCO玻璃的可見光透過率,提高投射在太陽能電池膜層上的光能量,進行提高太陽能電池轉換效率的技術問題,設計了一種提高光透過率的TCO玻璃的結構,通過在玻璃基板上設置凸紋來增加光透過玻璃的光程,進而提高光透過率。
本實用新型為實現發明目的采用的技術方案是,一種提高光透過率的TCO玻璃的結構,包括玻璃基板和在玻璃基板上的透明導電膜層,關鍵是:所述的玻璃基板的一端面上設置有用凸紋分布形成的點陣結構,透明導電膜層位于帶有凸紋的一側。
本實用新型的優點是:與常規TCO玻璃制作工藝相比,省去了TCO薄膜表層刻蝕工藝過程,簡化了制程工藝過程,節省了生產成本。本設計在生產過程中不需要刻蝕,因此減少了環境污染和對人身體的傷害。在成膜之后表面即具有半球形結構,和現有技術中的“金字塔”型以及圓錐形膜面相比,具有更好的光譜透過率和霧度。常規TCO玻璃采用的是平面的基板玻璃,表面很光滑,在成膜開始階段,晶核形成比較困難。本設計的基板玻璃采用表面帶凸紋的玻璃作為基板,表面粗糙度大,形成很多臺階結構,為TCO膜層晶核形成提供了便利條件,因此,可以在更低制程溫度下進行。
下面結合附圖對本實用新型進行詳細說明。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖。
1是基板玻璃,1-1是凸紋,2是透明導電膜層。
具體實施方式
一種提高光透過率的TCO玻璃的結構,包括玻璃基板1和在玻璃基板1上的透明導電膜層2,所述的玻璃基板1的一端面上設置有用凸紋1-1分布形成的點陣結構,透明導電膜層2位于帶有凸紋1-1的一側。
上述的凸紋1-1的半徑為0.01~0.1mm。
上述的凸紋1-1在玻璃基板1的密度為200~300個/cm2。
上述的玻璃基板1的厚度為3~4mm。
上述的透明導電膜層2的厚度為400~1000nm。
上述的透明導電膜層2的材質是ITO膜、或是FTO膜、或是AZO膜、或是BZO膜。
本實用新型采用表面帶半球形凸紋的玻璃作為TCO玻璃的基板,在此基板玻璃1上鍍透明導電氧化物TCO膜層。基板玻璃1的一端表面上帶有半球形的凸紋,凸紋半徑在0.01mm~0.1mm之間,凸紋密度可以根據太陽能電池制造工藝霧度的大小進行調整,以200個/cm2~300/cm2為宜。基板玻璃1的厚度可以為3.0mm,3.2mm,4.0mm,根據太陽能電池抗沖擊抗風壓要求進行調整,一般3.2mm以上厚度足以滿足要求。基板玻璃1上的透明導電膜層2可以是ITO,FTO膜,AZO膜,BZO膜等透明導電氧化物膜層。這些膜層的光譜透過率比較高,而且電阻率小,有利于電能的輸出。將透明導電氧化物均勻的鍍在上述玻璃基板上,在玻璃表面就形成半球形凸紋膜面,透明導電膜層2厚度在400nm~1000nm之間。用此新型TCO玻璃光譜透過率在85%以上,霧度在12%左右,非常適合作薄膜太陽能電池的前板玻璃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





